Winbond:2Gb+2Gb NAND dan produk memori LPDDR4x untuk modem 5G CPE
Winbond Electronics mengumumkan peluncuran produk memori Flash NAND dan LPDDR4x 1,8V 2Gb+2Gb baru dalam paket multi-chip (MCP) 8,0 x 9,5 x 0,8 mm yang ringkas.
Produk W71NW20KK1KW baru, yang menggabungkan Flash NAND Single Level Cell (SLC) yang kuat dan memori LPDDR4x berkecepatan tinggi dan berdaya rendah, menyediakan kapasitas memori yang cukup untuk modem seluler 5G yang dimaksudkan untuk digunakan sebagai Customer Premises Equipment (CPE) di rumah dan kantor.
Sementara modem 5G seluler biasanya membutuhkan kepadatan memori yang lebih besar, modem 5G CPE statis dapat beroperasi dengan sempurna dengan kapasitas memori DRAM 2Gb NAND/2Gb. Dengan menawarkan kombinasi memori ini dalam satu paket yang ringkas, W71NW20KK1KW Winbond memungkinkan produsen modem 5G untuk memenuhi persyaratan sistem unit CPE dengan bahan dan biaya produksi serendah mungkin.
Diharapkan pengenalan generasi baru unit 5G CPE dengan biaya yang dioptimalkan yang menggabungkan W71NW20KK1KW akan membantu mempercepat adopsi konsumen terhadap 5G sebagai alternatif untuk sambungan kabel tembaga atau xDSL optik di jalur terakhir jaringan broadband berkecepatan tinggi. .
W71NW20KK1KW adalah 149 bola BGA MCP yang terdiri dari 2 Gb SLC NAND Flash die dan 2 Gb LPDDR4x DRAM die. SLC NAND Flash yang tangguh menawarkan spesifikasi daya tahan yang sangat baik dan integritas data yang tinggi. SLC NAND hanya memerlukan ECC 4-bit untuk mencapai integritas data yang tinggi, tetapi ukuran halaman perangkat 2KB+128B menyediakan ruang yang cukup untuk penggunaan ECC 8-bit.
W71NW20KK1KW memiliki bus 8-bit, dan diatur dalam blok 64 halaman. Spesifikasi kinerja NAND die mencakup waktu baca halaman maksimum 25 detik dan waktu program halaman biasa 250 detik.
