IBM dan Samsung Perkenalkan Semikonduktor Hemat Energi 85%

IBM dan Samsung Electronics telah memperkenalkan desain semikonduktor revolusioner yang dapat mengurangi konsumsi daya sebesar 85% dibandingkan chip paling canggih saat ini.

Keberhasilan ini memungkinkan berbagai aplikasi baru—dari penambangan kripto hemat energi dan enkripsi data hingga baterai seluler yang dapat bertahan lebih dari seminggu tanpa pengisian ulang—menurut perusahaan.

Chip-chip ini juga dapat memindai berbagai perangkat Internet-of-Things dan edge yang konsumsi energi lebih rendah, memungkinkan operasi di lingkungan yang beragam seperti penyelam laut, kendaraan otonom, dan pesawat luar angkasa.

Yang membedakan desain ini adalah penggunaan transistor field-effect transport vertikal (VTFET) yang berdiri tegak pada permukaan chip, memungkinkan arus mengalir secara vertikal daripada secara lateral. Dalam chip konvensional, transistor berbaring dan menghantarkan secara lateral.

"Proses VTFET mengatasi banyak hambatan kinerja dan memperpanjang Moore’s Law dengan memungkinkan arus lebih besar dengan energi yang terbuang lebih sedikit," jelaskan Brent Anderson, Arsitek dan Manajer Program VTFET, dan Hemanth Jagannathan, Ahli Teknologi Hardware VTFET dan Staf Penelitian Utama.

Dengan melemahkan keterbatasan fisik pada panjang gate transistor, ketebalan spacer, dan ukuran kontak, VTFET dapat dioptimalkan untuk kinerja atau konsumsi energi, kata para peneliti.

“Moore’s Law mendekati hambatan yang tampaknya tidak teratasi,” kata tim. “Dengan fokus pada dimensi baru, inovasi VTFET menawarkan jalan untuk melanjutkan tren skala transistor dalam area tetap.”

Intel juga telah mengumumkan rencana untuk mengeksplorasi stacking chip vertikal sebagai strategi untuk mengikuti Moore’s Law.

Dapatkan wawasan rutin dengan mendaftar untuk newsletter Network World.