Pengantar Transistor Efek Medan Gerbang Terisolasi

Seperti yang dinyatakan dalam bab terakhir, ada lebih dari satu jenis transistor efek medan. Transistor efek medan persimpangan, atau JFET, menggunakan tegangan yang diterapkan di persimpangan PN dengan bias terbalik untuk mengontrol lebar daerah penipisan persimpangan itu, yang kemudian mengontrol konduktivitas saluran semikonduktor yang dilalui arus yang dikendalikan. Jenis lain dari perangkat efek medan—transistor efek medan gerbang berinsulasi, atau IGFET—mengeksploitasi prinsip serupa dari daerah penipisan yang mengontrol konduktivitas melalui saluran semikonduktor, tetapi ini terutama berbeda dari JFET karena tidak ada hubungan langsung antara memimpin gerbang dan bahan semikonduktor itu sendiri. Sebaliknya, ujung gerbang diisolasi dari badan transistor oleh penghalang tipis, oleh karena itu disebut gerbang berinsulasi. Penghalang isolasi ini bertindak sebagai lapisan dielektrik kapasitor dan memungkinkan tegangan gerbang-ke-sumber untuk mempengaruhi daerah penipisan secara elektrostatis, bukan melalui sambungan langsung.

Selain pilihan desain saluran-N versus saluran-P, IGFET hadir dalam dua jenis utama:peningkatan dan penipisan. Jenis deplesi lebih erat kaitannya dengan JFET, jadi kami akan memulai studi kami tentang IGFET dengannya.

LEMBAR KERJA TERKAIT:

• Lembar Kerja Transistor Efek Medan Gerbang Terisolasi