Laser DFB Tiga Bagian Monolitik Mengaktifkan Generasi RF Tunggal/Dual dengan Rentang Luas
Abstrak
Laser distributed feedback (DFB) tiga bagian dengan 2,5 pasang reflektor Bragg terdistribusi (DBR) InP/ udara telah dibuat dan dianalisis dalam hal kemampuannya menghasilkan gelombang mikro. Sinyal radio frekuensi (RF) tunggal yang dapat disesuaikan secara luas dapat terdeteksi menggunakan heterodining optik, dan rentang penyesuaiannya adalah dari 2 hingga 45 GHz. Penggabungan bagian ketiga memberikan kesempatan untuk presenting operasi dual RF ketika tiga puncak emisi berada di dekat satu sama lain dalam domain panjang gelombang. Desain yang diusulkan memberikan peningkatan 21,3% dalam rentang penyesuaian RF dibandingkan dengan rentang laser dua bagian (35,29 GHz versus 42,81 GHz). Kepadatan perangkat yang diusulkan dapat berguna untuk aplikasi radio-over-fiber di masa depan.
Pendahuluan
Dengan hadirnya teknologi nirkabel inovatif di masa depan, instalasi jaringan seluler telah berkembang ke era baru: sejumlah besar stasiun dasar mikro- atau nano-sized diperlukan, dan transmisi gelombang mikro yang efisien energi dapat diharapkan [1, 2]. Untuk membangun infrastruktur nirkabel ini, sumber gelombang mikro yang baik diperlukan. Di masa lalu, beberapa metode telah diusulkan dan ditunjukkan untuk menghasilkan gelombang mikro (seperti band X/Ka). Penggunaan osilator beam elektron dan osilator balik (BWO) dapat memberikan intensitas gelombang mikro yang tinggi (biasanya dalam rentang ratusan megawatt hingga gigawatt), dan mereka banyak diterapkan dalam bidang radar, penginderaan jarak jauh, komunikasi, dan ilmu pluma [3,4,5]. Namun, teknologi ini sulit untuk menyesuaikan frekuensi emisi karena ditentukan sebelumnya oleh struktur gelombang yang tetap, dan ukuran struktur ini biasanya dalam milimeter atau sentimeter. Metode lain adalah menerapkan efek elektron transfer di dioda Gunn [6,7,8,9]. Fitur semiconductor dari dioda Gunn sangat menarik karena ukurannya dapat bervariasi dari puluhan mikron hingga sub-mikron. Output daya yang disampaikan juga memukau: dari beberapa hingga puluhan miliwatt. Namun, perangkat ini biasanya membutuhkan rangkaian lain untuk memberikan sinyal yang baik, dan juga memiliki penyesuaikan frekuensi yang terbatas yang dibatasi oleh waktu transmit bawaan bawa inherent di seluruh panjang perangkat [10].
Selain metode tradisional ini, stasiun dasar nirkabel masa depan membutuhkan tidak hanya efisiensi tinggi tetapi juga jejak kecil dan penerapan skala besar. Arsitektur stasiun kecil dan implementasi sistem multiple-input dan multiple-output massal menunjukkan kebutuhan akan mikro fotonik [11]. Perangkat fotonik dan infrastruktur dapat mengurangi kompleksitas jaringan, meningkatkan jarak transmisi, dan meningkatkan keamanan transmisi. Kombinasi sel kecil (picocell) dan jaringan serat optik dapat secara efisien mentransmisikan sejumlah besar data dalam jarak jauh [12]. Oleh karena itu, tipe perangkat fotonik yang berbeda diperlukan untuk mewujudkan skema tersebut, terutama untuk menghasilkan sinyal RF yang kuat dengan penyesuaikan tinggi dan mengaktifkan multitasking. Sistem laser terkunci injeksi diusulkan untuk generasi RF dengan lebar garis sempit [13]. Heterodining beberapa laser dengan loop terkunci fase optik telah digunakan untuk menghasilkan sinyal RF satu- atau dua-channel berkualitas tinggi dan rangkaian lain untuk memberikan sinyal yang baik, dan transmisi data dapat ditunjukkan dalam skema ini sebelumnya [14,15,16]. Integrasi beberapa laser untuk generasi gelombang mikro dapat direalisasikan menggunakan integrasi jaringan gelombang teratur (AWG) [17] dan pengontrol interrupt terprogram cascaded serial [18]. Semua studi ini bergantung pada optika yang diratakan dengan tepat dan beberapa sumber laser untuk menyediakan cukup foton untuk berinteraksi.
Untuk mengurangi lebih jauh jejak yang diperlukan sistem, desain terintegrasi diperlukan. Mempertimbangkan semua metode yang sebelumnya dipublikasikan, kami percaya generasi mikro fotonik terintegrasi dapat menjadi kandidat yang baik [18] karena (a) ukuran chip dapat diskalakan mirip dengan wafer Si. Ukuran chip fotonik kami saat ini dapat bervariasi dari puluhan hingga ratusan mikron, tetapi pengurangan lebih jauh dalam jejak mungkin. (b) Pencampuran fotonik dapat memberikan beberapa sinyal RF terbaik dalam literatur yang lalu. Misalnya, dengan menggunakan skema terkunci injeksi, kebisingan fase dapat sangat dikurangi, yang sangat penting untuk sinyal RF [19]. (c) Arus listrik eksternal untuk sinyal RF yang dapat disesuaikan secara luas. Dengan menyesuaikan arus injeksi, chip mikro fotonik dapat dengan mudah mewujudkan generasi frekuensi yang luas melalui interaksi berbagai foton seperti perubahan indeks bias atau heterodining optik, dll. [20, 21]. Ragam sifat fisik foton membuat chip fotonik sangat serbaguna dalam hal penyesuaikan frekuensi. Untuk memanfaatkan sepenuhnya keuntungan fotonik di atas, berbagai warna foton kohesif harus dapat diintegrasikan dalam desain chip ini. Dalam studi ini, laser DFB tiga bagian dengan isolasi optik DBR dikembangkan untuk pertama kalinya. Laser yang diusulkan dapat beroperasi sebagai penguat RF tunable sederhana atau sebagai penguat dan sumber data dengan dua nada RF. Karakteristik perangkat terintegrasi ini dapat diselidiki dan dianalisis sepenuhnya, dan kami berpendapat bahwa perangkat ini dapat bermanfaat untuk integrasi mikro fotonik di masa depan.
Metode
Pembuatan Perangkat
Dalam studi ini, wafer pertama kali ditanam menggunakan sistem penyetoran uap kimia logamorganik. Kuantum brond InGaAsP digunakan sebagai wilayah aktif, dan panjang gelombang lasing yang diincar sekitar 1550 nm. Grating laser DFB dibuat menggunakan litografi sinar elektron. Setelah prosedur epitaksi selesai, wafer diproses dengan proses semiconductor standar penyetelan film, pengeringan kering/basah, dan metalisasi yang dijelaskan dalam [21]. Wafer dihaluskan hingga 100 μm dan dipoles untuk penyetelan kontak logam sisi belakang (AuGe/Ni/Au) untuk menyelesaikan semua langkah proses. Langkah selanjutnya adalah memotong wafer menjadi bar dan memotong bar menjadi chip untuk pemaketan, dan ukuran chip adalah 250 × 900 μm2. Chip laser terintegrasi ditempatkan pada submount keramik dan dihubungkan kawat untuk pemeriksaan dan pengujian. Reflektor Bragg terdistribusi (DBR) udara/semikonduktor diukir menggunakan sistem ion beam terfokus (FIB) skala nano (Tescan model no. GAIA3). Teknologi FIB menggunakan ion Ga yang dipercepat dengan energi 30 keV dan arus beam 0,4 nA untuk membombardir target semiconductor (seperti InP atau Si) jauh. Dengan akurasi skala nanometer, sistem FIB dapat mewujudkan DBR antar-bagian untuk laser tiga bagian. DBR terdiri dari bagian udara dan InP dengan lebar 1162 nm untuk bagian udara dan 584 nm untuk bagian InP. Pengecoran terdalam adalah 7 μm ke dalam wafer. Untuk mengontrol kekasaran antarmuka udara/semikonduktor, kami mengoptimalkan laju ukir FIB menjadi 33 nm/s. Gambar 1 menunjukkan skema dan citra SEM perangkat yang selesai. 2,5 pasang DBR udara/InP di antara bagian dapat menyediakan refletivitas optik yang tinggi dan isolasi listrik, dan mereka membagi chip terintegrasi menjadi tiga bagian: S1, M, dan S2, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 1. Kami mengadopsi notasi dari laser terkunci injeksi di mana laser master dan slave biasanya digunakan untuk memompa dan perangkat yang dipompa.
Skema dan citra SEM perangkat laser DFB tiga bagian
Heterodining Optik
Heterodining optik adalah metode untuk menghasilkan sinyal RF dalam banyak struktur mikro fotonik [22, 23]. Teknik ini menghasilkan sinyal RF yang dapat disesuaikan dengan mencampur panjang gelombang foton yang berbeda [24, 25]. Pertama, kami mendefinisikan dua sinyal berbeda E1 dan E2 sebagai berikut:
di mana E01 dan E02 adalah amplituda, ω1 dan ω2 adalah frekuensi, dan φ1 dan φ2 adalah fase yang sesuai dengan E1 dan E2, masing-masing. Kemudian, intensitas sinyal campur total It dapat dijelaskan sebagai berikut [26]:
Saat mengukur sinyal total, hanya istilah E01E02 × cos[(ω1 − ω2)t + (φ1 − φ2)] yang dapat diamati karena istilah frekuensi tinggi (seperti ω1 dan ω2 dan ω1 + ω2) di atas batas deteksi fotodetektor. Sinyal RF akhir yang terdeteksi diperoleh pada frekuensi berikut:
Dalam perangkat saat ini, foton dengan beberapa panjang gelombang dapat dihasilkan secara bersamaan sehingga heterodining dapat terjadi pada frekuensi yang berbeda secara bersamaan. Karena panjang gelombang emisi setiap laser dapat dikontrol oleh arus injeksi, kombinasi arus yang berbeda dapat menyediakan sinyal output RF tunggal dan dual dari perangkat yang sama. Kondisi ini dibahas lebih lanjut dalam artikel ini.
Sistem Pengukuran
Untuk mengevaluasi perangkat laser dengan baik, daya output secara hati-hait dihubungkan ke serat optik ke fotodetektor (PD) yang terkalibrasi. Ujung serat dipecah dengan kemiringan 8° untuk mengurangi refleksi asap. Pengontrol polarisasi dan isolator yang sesuai dipasang untuk memastikan umpan balik minimum ke laser dan daya output maksimum setelah heterodining. Penguat serat optik yang di-doping erbium adalah peralatan opsional yang dapat diabaikan jika sinyal cukup kuat. Fotodetektor kecepatan tinggi (PD 50 GHz, u2tPhotonics®, AG) atau PD lain (1414, New Focus®) digunakan untuk mendeteksi sinyal fotonik yang dicampur. Sinyal listrik yang diperoleh setelah heterodining diinput ke analyzer sinyal (N9030PXA, Keysight®), dan spektrum frekuensi diferensial sinyal ditampilkan. Di sisi lain, spektrum optik gabungan dibaca menggunakan analyzer spektrum optik (OSA; AQ6317B, Ando®).
Hasil
Karakteristik DC Perangkat
Setelah pembuatan perangkat selesai, karakteristik DC dapat diuji. Gambar 2a menunjukkan kurva daya–arus–tegangan (L–I–V) umum dari laser DFB umum yang dibuat menggunakan wafer ini. Arus ambang dapat lebih kecil dari 10 mA. Perangkat individu memiliki ruang 300-μm panjang dan daya output dalam urutan miliwatt. Grating dalam struktur menyediakan umpan balik dan pemilihan mode yang diperlukan untuk memungkinkan laser beroperasi dalam mode tunggal. Spektrum daya yang diamati ketika ketiga laser dinyalakan ditampilkan pada Gambar 2b. Rasio suppressi sisi mode yang lebih besar dari 50 dB diukur untuk kasus DFB tunggal. Operasi mode tunggal yang menguntungkan sangat penting untuk keberhasilan heterodining optik. Sinyal optik diambil dari kedua sisi, bagian S1 dan S2 menunjukkan respons yang lebih kuat dibandingkan dengan respons bagian tengah (bagian M), seperti yang ditampilkan pada Gambar 2b karena refleksi tinggi dari bagian DBR pusat yang memblokir daya output dari bagian M. Jarak mode optik dapat diubah menggunakan arus injeksi listrik. Fleksibilitas ini menyediakan berbagai kombinasi dari tiga mode laser ini. Gambar 3 menampilkan spektrum optik yang bergantung pada arus. Ketiga puncak dapat disesuaikan, dan jarak antara dua puncak dapat kritis untuk generasi sinyal RF. Ketika dua puncak cukup dekat, pencampuran gelombang empat (FWM) terjadi antara panjang gelombang foton ini [27]. Ketika dua puncak jauh, tidak ada efek FWM yang ada. FWM ditingkatkan dari modulasi nonlinier konsentrasi carrier dalam medium gain laser [27]. Modulasi ini menghasilkan efek heterodining yang lebih kuat di antara berbagai warna foton dan dapat menghasilkan sinyal output RF yang lebih kuat. Pada kurva atas yang ditampilkan pada Gambar 3, beberapa puncak dihasilkan dalam spektrum optik karena interaksi FWM yang kuat ini. Jarak antara puncak masih sama dengan perbedaan antara dua frekuensi campuran asli.
a Kurva LIV umum dari laser DFB. b Spektrum optik dengan satu, dua, dan tiga laser DFB dinyalakan
Spektrum optik laser tiga bagian dengan dan tanpa efek FWM. Legenda menunjukkan kombinasi arus (dalam mA) dari bagian S1–M–S2 dalam setiap spektrum
Generasi RF Tunggal yang Dapat Disesuaikan Secara Luas
Saat arus injeksi bervariasi, panjang gelombang emisi laser DFB bervariasi, seperti yang disebutkan sebelumnya. Jadi, hasil heterodining optik berubah sesuai dengan itu dalam perangkat ini. Sinyal RF yang dicampur dapat diukur menggunakan fotodetektor kecepatan tinggi [20]. Kualitas sinyal dapat diidentifikasi menggunakan pengaturan PXA. Gambar 4a menampilkan spektrum listrik terperinci dari sinyal RF yang disintesiskan. Sinyal mode tunggal naik 40,4 dB di atas lantai kebisingan, dan intensitas puncak dapat mencapai −20 dB. Resolusi yang lebih halus pada spektrum RF mengungkapkan detail sinyal, dan spektrum dapat dipasang menggunakan fungsi Lorentzian untuk menentukan lebar garis. Lebar garis biasanya sekitar 12 hingga 16 MHz, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4b. Lebar garis individual dari puncak RF ditentukan oleh penjumlahan lebar garis puncak laser DFB, yang bervariasi dari 5 hingga 7 MHz pada wafer ini. Salah satu fitur penting dari desain ini adalah generasi RF mode tunggal yang dapat disesuaikan secara luas. Kombinasi tiga nada laser menyediakan rentang distribusi RF yang lebih luas. Sinyal RF mode tunggal dapat disesuaikan secara kontinu dari 2 hingga 45 GHz.
Spektrum listrik dari sinyal RF yang disintesiskan. a Sinyal RF mode tunggal. b Estimasi lebar garis dari sinyal RF mode tunggal
Operasi Mode Dual RF
Karena bagian tambahan ketiga dalam laser, perangkat terintegrasi dapat menyediakan pola sinyal RF yang lebih rumit dibandingkan laser dengan dua bagian. Mode dual RF dengan cara yang dapat dikontrol dapat menjadi fitur yang menguntungkan untuk berbagai tujuan. Dalam perangkat ini, mode dual hanya terjadi ketika tiga panjang gelombang laser berada di dekat satu sama lain. Ketika efek FWM dapat dimulai oleh ketiga laser, dua sinyal RF dengan frekuensi yang berbeda diamati. Pada Gambar 5, spektrum optik dan listrik ditampilkan berdampingan untuk mengilustrasikan skenario ini. Pada gambar ini, puncak bagian S1 dan M berada di dekat satu sama lain pada tingkat arus rendah. Jadi, FWM yang kuat terjadi antara bagian S1 dan M, dan puncak RF kuat dihasilkan sekitar 7,86 GHz (trace A). Kami meningkatkan arus bagian S1 untuk mered-shift puncaknya menuju bagian S2. Frekuensi puncak RF utama meningkat saat jarak antara bagian S1 dan M menjadi besar (trace B). Namun, saat puncak bagian S1 dan S2 bergerak lebih dekat, efek heterodining antara dua grup foton ini semakin kuat. Jadi, pada trace C, sinyal RF utama menjadi frekuensi diferensial dari S1 dan S2. Selain itu, interaksi antara S1 dan M tetap ada, dan sinyal RF yang lebih lemah yang sesuai dengan interaksi ini diamati pada 21,6 GHz. Dengan meningkatkan arus lebih lanjut ke S1, puncak utama menurun frekuensinya karena puncak bagian S1 mered-shift menuju puncak bagian S2. Sementara itu, puncak minor berblue-shift ke frekuensi yang lebih tinggi karena puncak bagian S1 bergerak menjauh dari puncak bagian M (trace C hingga E).
Spektrum a optik dan b RF mode dual dengan kombinasi arus yang berbeda. Arus bagian S2 dan M tetap sama sementara arus bagian S1 bervariasi dari 20 hingga 70 mA (ditunjukkan pada a). Pada trace A, λM<λS1<λS2, dan urutan menjadi λM<λS2<λS1 pada trace H
Pada trace F, G, dan H, jarak antara puncak emisi bagian S1 dan M sangat besar. Jadi, tidak ada pencampuran yang terjadi antara kedua bagian ini, dan S1 secara bertahap melebihi S2 saat arus S1 ditingkatkan. Puncak RF yang dihasilkan pertama-tama menurun dan kemudian meningkat dalam hal frekuensi. Perilaku ini mirip dengan laser dua bagian yang sebelumnya ditunjukkan.
Diskusi
Efek Jumlah Pasangan
DBR disisipkan di antara laser untuk menyediakan isolasi optik di antara ruang, untuk menyediakan refleksi yang cukup di antara dua aspek setiap bagian laser DFB untuk meningkatkan kemungkinan mendapatkan emisi mode tunggal, dan akhirnya, untuk menyediakan isolasi listrik yang cukup di antara bagian. Jika jumlah pasangan sangat kecil, isolasi listrik mungkin tidak cukup untuk mempertahankan pemompaan independen di antara bagian. Karena resistansi dioda laser individu sekitar sama dengan atau kurang dari 10 Ω, isolasi listrik 103 Ω atau lebih disarankan. Selain itu, jika jumlah pasangan DBR sangat kecil, bagian individu tidak dapat membedakan refleksi asap depan atau belakang mereka sendiri, dan ini dapat menyebabkan mode lasing yang tidak dapat diprediksi di bagian depan dan belakang (S1 dan S2). Untuk bagian tengah (bagian M), lebih sedikit pasangan DBR menyebabkan kondisi resonansi yang buruk dan halus ruang yang rendah, sehingga tidak ada lasing sama sekali. Sebaliknya, jika jumlah pasangan DBR terlalu besar, bagian tengah dapat lasing dalam mode multiple. Lasing ini menghasilkan output RF yang sangat sedikit, kadang-kadang nol.
Fungsi Bagian Tengah
Karena rentang FWM yang terbatas dalam perangkat dua bagian kami, penyesuaian puncak RF kadang-kadang terbatas antara 20 dan 30 GHz. Laser dua bagian yang terikat kuat juga dapat menghasilkan banyak mode operasi nonlinier yang rumit seperti periode 1 dan chaos, seperti yang telah ditunjukkan sebelumnya [20]. Ketika bagian ketiga disisipkan ke dalam chip laser, rentang penyesuaian meningkat karena efek tuning termal tambahan dari perangkat. Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 6, saat arus bagian S1 dan S2 tetap, arus bagian M yang bervariasi secara linier dapat memberikan peningkatan tambahan sebesar 1,68 GHz dalam tuning RF. Puncak bagian M yang diperoleh tidak menyebabkan pencampuran optik yang kuat, dan oleh karena itu, semua interaksi RF utama adalah antara foton bagian S1 dan S2. Peningkatan kecil dalam pemisahan puncak juga dapat diamati pada trace dengan arus input bagian M yang tinggi. Dalam perangkat lain, peningkatan RF sebesar 3,82 GHz telah dicatat. Perubahan tambahan dalam frekuensi RF yang disintesiskan ini karena arus bagian M tambahan dapat membuat tuning kontinu lebih dapat diwujudkan dalam laser tiga bagian. Perbandingan antara nilai IM 0 dan 65 mA dalam perangkat tertentu memberikan selisih sebesar 7,52 GHz (Δf = 42,81 GHz untuk IM = 65 mA, dan Δf = 35,29 GHz untuk IM = 0) dalam rentang tuning. Secara umum, beberapa GHz rentang tuning dapat ditambahkan saat bagian M diaktifkan secara listrik dan perubahan kombinasi arus dapat bertambah dan meningkatkan rentang tuning secara keseluruhan secara signifikan. Fenomena ini dapat dikaitkan dengan kesenjangan ketergantungan termal-panjang gelombang dalam perangkat individu. Kesenjangan ini disebabkan oleh faktor seperti variasi doping lokal, wilayah FIB yang tidak dipotong (menyebabkan kebocoran), dan ketergantungan nonlinier arus pada panjang gelombang emisi. Dalam sebagian besar kasus, frekuensi puncak RF cenderung meningkat saat bagian ketiga diaktifkan.
Spektrum optik laser tiga bagian dengan dua bagian sisi (S1 dan S2) dengan input tetap. Arus yang diinjeksi ke bagian tengah (M) meningkat dari 0 hingga 70 mA. Sisipan menunjukkan peningkatan frekuensi yang sesuai dalam RF
Operasi Mode Tunggal atau Dual
Analisis operasi laser tiga bagian tampak rumit pada awalnya. Pada paragraf ini, kami membawa perspektif terhadap kekhawatiran dasar, apakah perangkat akan beroperasi dalam mode tunggal atau dual. Gambar 7 menampilkan dua mode operasi paling umum dari laser tiga bagian kami. Lokasi saling dalam domain optik mengungkapkan bahwa dua kasus dipertimbangkan: dalam kasus pertama, puncak ketiga jauh dari dua puncak yang tersisa. Dalam kasus kedua, puncak ketiga aktif di dekat puncak dalam bagian S1 dan S2. Dalam kasus pertama, yang ditampilkan pada Gambar 7a, foton yang jauh (puncak bagian M) memiliki interaksi yang sangat sedikit dengan dua puncak lainnya (puncak bagian S1 dan S2). Hanya puncak bagian S1 dan S2 yang cukup dekat untuk menunjukkan efek FWM. Dalam kondisi ini, laser tiga bagian bertindak seperti laser dua bagian yang sebelumnya ditunjukkan dan satu puncak RF dihasilkan dengan mencampur puncak bagian S1 dan S2. Fungsi puncak bagian M adalah untuk menyediakan perluasan atau pengurangan puncak RF berdasarkan koefisien termal-panjang gelombang bagian DFB. Dalam kasus kedua yang ditampilkan pada Gambar 7b, tiga puncak berada di dekat satu sama lain. Kasus ini lebih rumit. Kedekatan panjang gelombang foton memicu generasi efek FWM, dan lebih dari satu frekuensi diferensial dapat dihasilkan karena fenomena ini. Jadi, dua kombinasi teratas di antara bagian S1, S2, dan M menyediakan komponen konstituen dalam spektrum RF, dan laser dapat beroperasi dalam mode RF dual. Namun, setelah salah satu FWM melemah karena pemisahan puncak akibat injeksi arus, perangkat kembali ke mode tunggal.
Diagram komprehensif dari mode operasi laser DFB tiga bagian: a Satu puncak jauh dan dua lainnya dekat satu sama lain, dan b ketiga puncak dekat satu sama lain
Kesimpulan
Laser tiga bagian dibuat untuk tujuan generasi RF. Dalam laser ini, 2,5 pasang DBR InP/ udara ditempatkan di antara bagian. Laser multi-bagian ini menyediakan sinyal RF mode tunggal yang memiliki penyesuaikan tinggi dari 2 hingga 45 GHz. Bagian ketiga tambahan memungkinkan tuning termal untuk operasi mode tunggal ini dan juga sangat penting untuk operasi mode RF dual. Fenomena FWM yang kuat diamati dari spektrum optik dan dikonfirmasi dengan melakukan pengukuran puncak RF. Model perpindahan panjang gelombang yang bergantung pada arus dapat diterapkan untuk verifikasi RF. Laser tiga bagian yang diusulkan memberikan peningkatan 21,3% dalam rentang tuning RF dibandingkan dengan rentang laser dua bagian. Selain operasi mode tunggal, sinyal RF mode dual juga ditunjukkan ketika panjang gelombang ketiga laser berada di dekat satu sama lain. Frekuensi RF dalam operasi mode dual dapat dimodifikasi oleh injeksi arus langsung ke salah satu bagian. Kami percaya laser yang diusulkan akan berguna untuk meningkatkan kinerja perangkat mikro fotonik di masa depan dan mendapatkan jaringan mikro fotonik yang sangat efisien.
