Renesas:paket plastik, pengontrol PWM toleran radiasi dan driver GaN FET untuk smallsats
Renesas Electronics mengumumkan pengontrol PWM yang tahan radiasi dan kemasan plastik pertama di industri luar angkasa dan driver FET Gallium Nitrida untuk catu daya DC/DC di satelit kecil (smallsats) dan kendaraan peluncuran. Kontroler PWM mode arus tunggal ISL71043M dan driver GaN FET sisi rendah ISL71040M ideal untuk flyback terisolasi dan tahap daya setengah jembatan, dan sirkuit driver kontrol motor di bus satelit dan muatan. Perusahaan swasta 'ruang angkasa baru' telah mulai meluncurkan satelit kecil untuk membentuk konstelasi besar yang beroperasi di beberapa pesawat orbit rendah Bumi (LEO). Mega-rasi bintang Smallsat menyediakan tautan Internet broadband global, serta pencitraan pengamatan Bumi beresolusi tinggi untuk pelacakan aset laut, udara, dan darat.
Kontroler PWM ISL71043M menyediakan propagasi sinyal yang cepat dan pengalihan output dalam paket plastik SOIC 4mm x 5mm kecil, mengurangi area PCB hingga 3x dibandingkan dengan paket keramik kompetitif. Selain itu, arus suplai maks 5,5mA ISL71043 mengurangi kehilangan daya lebih dari 3x, dan frekuensi pengoperasiannya yang dapat disesuaikan – hingga 1 MHz – memungkinkan efisiensi yang lebih tinggi dan penggunaan komponen filter pasif yang lebih kecil. ISL71043M dan ISL71040M diuji karakterisasi pada total ionizing doze (TID) hingga 30krads(Si), dan untuk efek peristiwa tunggal (SEE) pada transfer energi linier (LET) sebesar 43MeV•cm2/mg. Kedua perangkat beroperasi pada rentang suhu yang diperpanjang dari -55 hingga +125°C.
Driver GaN FET sisi rendah ISL71040M dengan aman menggerakkan FET GaN rad-hard Renesas dalam topologi terisolasi dan meningkatkan konfigurasi tipe. ISL71040M beroperasi dengan tegangan suplai antara 4,5V dan 13.2V, tegangan penggerak gerbang (VDRV) 4,5V, dan mencakup input pembalik dan non-pembalik. Output split perangkat menyesuaikan kecepatan turn-on dan turn-off, dan kemampuan sumber dan sink arusnya yang tinggi memungkinkan operasi frekuensi tinggi. ISL71040M memastikan pengoperasian yang andal saat menggerakkan GaN FET dengan mengontrol tegangan driver gerbang secara tepat hingga +3/-5% di atas suhu dan radiasi. Ini juga mencakup sirkuit perlindungan mengambang untuk menghilangkan peralihan yang tidak disengaja.
