Transistor DMOS: Kemampuan, Aplikasi, dan Wawasan Struktural

Transistor DMOS double-diffusion bekerja ajaib dalam rangkaian listrik yang lebih banyak orang perlu memahami. Transistor ini adalah kunci utama dalam modul kontrol rem (BCM), modul kontrol transmisi (TCM), modul kontrol mesin, dan lebih banyak lagi. Misalnya, konverter tipe flyback, DC, self-oscillating & forward telah terpasang transistor DMOS. Artikel ini penting karena akan informatif dan detail dalam menjelaskan difusi polaritas.

Mendapatkan informasi yang penuh fakta adalah cara terbaik untuk memahami & menghargai topik ini. Artikel ini akan membantu Anda mengetahui tentang transistor DMOS, struktur, kemampuan, dan karakteristik yang membedakan CMOS dari DMOS.

Apa itu Transistor DMOS?

DMOS FET adalah singkatan untuk Double diffusion metal oxide semiconductor field-effect transistor. Transistor ini termasuk dalam keluarga transistor MOSFET N-channel RF Power. Nama MOSFET daya komersial ini berasal dari cara urutan di mana transistor beroperasi. Perangkat listrik ini beroperasi dengan pertama kali mem-difusikan substrat p-doped. Kemudian, kemudian diikuti dengan difusi sumber n+ yang sangat terpadu. Aktivitas ini membantu memelihara level daya dalam transistor bipolar double-diffused.

Selain itu, Double-Diffused MOSFET bekerja dengan menggunakan otomatisasi Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) untuk rangkaian terpadu cerdas. Selain itu, struktur fisiknya membantu aktivitas difusi ganda, sempurna untuk penguat daya audio. Oleh karena itu, ini adalah perangkat daya semikonduktor yang umum. Wilayah drift dan wilayah p adalah pekerja utama dalam proses difusi. Selain itu, desain MOSFET daya memiliki wilayah p dengan kedalaman lebih dalam.

Bahan semikonduktor tertentu ini adalah transistor yang umum digunakan. Popularitasnya karena kemampuannya untuk menghindari semua hambatan dari IC bipolar tidak terkontaminasi. Perhatikan, beberapa keterbatasan termasuk mengurangi jumlah disipasi daya karena ia tidak memiliki persyaratan pengemudi arus.

Juga, ia bekerja secara efisien dalam aplikasi sakral cepat ketika Anda menerapkan jumlah arus basis yang benar.

(transistor.)

Penting, panjang saluran, kontrol tegangan breakdown, dan resistansi akses adalah fitur vital dari bahan semikonduktor ini. Faktor-faktor ini penting karena dua kotoran dopant memiliki kecepatan difusi lateral yang berbeda. Laju difusi lateral membantu dalam menentukan panjang saluran dan membantu dengan pasokan daya beban. Juga, kotoran dopant ini memiliki dosis implan tambahan. Selain itu, kotoran dopant mengakses DMOS FET melalui pembukaan dalam lapisan polisilikon.

Karena fitur ini, struktur perangkat daya ini memiliki panjang saluran pendek dari langkah litografi dalam proses pengguna. Perhatikan, ada banyak tata letak transistor DMOS. Namun, tata letak besarnya tergantung pada rentang tegangan dan daya puncak yang mengoperasikan transistor.

Oleh karena itu, Anda dapat menggunakan transistor DMOS dalam peralatan hiburan, peralatan industri, dan peralatan kantor. Juga, Anda dapat menggunakannya dalam pendingin udara, mesin penjual otomatis, dan pemanas air.

(transistor di latar belakang putih)

Struktur MOS Double-Diffused (DMOS)

Struktur fisik MOS double-diffused (DMOS) terdiri dari dioksida silikon, substrat silikon, oksidasi panas, silikon kristal, dan semikonduktor. Selain itu, rangkaian daya mengalami perubahan rating arus karena listrik yang menembusnya. Juga, lubang dengan muatan positif dapat melalui doping dasar dari amalgamat di sekitar elektroda gate dan semikonduktor.

 (Diagram Struktur DMOS)

Penjelasan

Perpanjangan akhir simpulan yang dihasilkan oleh difusi n+ dan p-tipe di bawah oksida gate mengontrol panjang saluran. Juga, panjang saluran dasar dapat menjadi dimensi lateral antara simpulan p-n substrat dan simpulan n+ p. Perhatikan, dimensi saluran ini dapat sekitar 0.5mm panjang.

Pertama, ketika terjadi peningkatan tegangan operasi menuju elektroda gate, elektron melalui transistor. Kemudian, elektron bergerak dari wilayah p ke wilayah n. Selanjutnya, koneksi listrik melalui oksida logam melipat ganti lapisan inversi wilayah substrat p. Proses ini terjadi karena perintah tegangan gate. Perhatikan, posisi gate berada di antara terminal sumber (wilayah p) dan terminal drain (wilayah n). Akhirnya, elektron (pembawa) berangkat setelah perjalanan melalui wilayah n.

Penting, Anda harus tahu bahwa zat n-tipe memiliki tingkat doping rendah. Oleh karena itu, ada cukup ruang untuk mempertimbangkan ekspansi lapisan depletasi antara terminal sumber dan drain. Selanjutnya, properti ini menghasilkan tegangan breakdown yang lebih tinggi antara terminal drain dan terminal sumber.

Drain to source voltage depletion FET telah mengalami beberapa perkembangan. Akibatnya, perangkat ini telah menjadi salah satu transistor bidang daya utama. Namun, perangkat DMOS awal sangat besar karena struktur lateralnya dan induktansi drain. Fitur ini mengakibatkan keuntungan perangkat tersebut terbalik. Akibatnya, desain dan pengembangan ekstensi vertikal dari struktur vertikal dimulai.

(gambar transistor daya.)

Apa yang Dapat Dilakukan Transistor DMOS?

Berikut adalah beberapa atribut dari transistor MOS Double-diffusion.

• Pertama, daya elektronik ini memiliki kepadatan arus yang sangat tinggi dengan rating tegangan breakdown yang sesuai. Oleh karena itu, Anda dapat mencapai properti ini dari tingkat doping rendah di wilayah antara drain dan wilayah saluran.
• Kedua, DMOS cukup mirip dengan Bipolar Junction Transistor. Perhatikan, kesamaan ini karena arus basis tinggi, karakteristik tegangan breakdown, dan frekuensi tinggi.
• Ketiga, depletion FET voltage dapat mengalihkan kecepatan hingga mega cepat dalam siklus daya frekuensi tinggi tanpa mendeteksi kehilangan daya.
• Juga, transistor bidang dapat menampung sinyal koneksi konduktif tipe wideband. Penting, properti ini menyebabkan kapasitansi dan resistansi on-state menurun dan memelihara injeksi charge rendah.
• Selanjutnya, lapisan semikonduktor wilayah p memiliki implan tambahan kotoran dalam wilayah semikonduktor, memastikan kontrol pukulan yang tepat. Juga, penurunan tegangan ambang tidak keluar dari kendali, dan itu karena tingkat doping ringan di wilayah drift. Akibatnya, kecepatan saturasi melewati, dan wilayah drain adalah kembang identik dari wilayah drift.
• Selanjutnya, Anda memanfaatkan seluruh array transistor dalam transistor DMOS untuk menyelesaikan proses koneksi listrik yang baik.
• Selanjutnya, MOSFET tegangan tinggi ini memberikan efisiensi energi dibandingkan transistor tegangan rendah. Perangkat daya membutuhkan efisiensi energi yang tepat agar dapat berfungsi.
• Terakhir, mereka dapat bekerja di sisi rendah dan tinggi tergantung pada tugas dan pembawa charge.

(siluet transistor bipolar juntion.)

Apa Perbedaan Antara CMOS dan DMOS?

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) adalah salah satu jenis perangkat semikonduktor. MOSFET memiliki konsumsi daya tanpa arus statis tinggi dan kapasitansi oksida. Juga, MOSFET menghasilkan jumlah limbah panas yang sedikit dan resistansi saluran yang tetap cukup tinggi. Selain itu, penggunaan daya tetap rendah, yang merupakan kelebihan.

CMOS bekerja dengan array transistor untuk membangun chip memori, sensor citra, dan rangkaian digital lainnya. Selain itu, CMOS adalah tentang serangkaian metode yang rumit yang menyatu dengan transistor produk. CMOS menggunakan output tegangan ketika berada dalam koneksi konduktif. Akibatnya, tingkat kompleksitas rangkaian dapat mengontrol tegangan.

Secara kontras, DMOS menggunakan aliran daya yang besar dan memiliki arus drain yang mengontrol tegangan drain. Anda terutama menggunakan perangkat ini sebagai sakral frekuensi tinggi dan cepat. Juga, komposisi perangkat ini dari oksidasi dan berbagai silikon. Proses Double diffusion membutuhkan gate, body, source, dan drain. Selain itu, ia menangani akumulasi arus listrik tanpa memerlukan arus listrik yang terdeteksi.

(sensor CMOS dari kamera.)

Ringkasan

Transistor DMOS adalah struktur yang menggunakan double diffusion dengan wilayah p dan wilayah n sebagai pemimpin. Penting, transistor DMOS esensial dalam pembuatan rangkaian, dan mereka hemat energi. Juga, DMOS dan CMOS sangat revolusioner karena sangat membantu dunia teknologi.

Kami harap artikel ini sangat membantu Anda. Silakan hubungi kami untuk informasi lebih lanjut tentang artikel ini atau rangkaian apa pun.