Manufaktur industri
Industri Internet of Things | bahan industri | Pemeliharaan dan Perbaikan Peralatan | Pemrograman industri |
home  MfgRobots >> Manufaktur industri >  >> Industrial Internet of Things >> Tertanam

Meningkatkan Keandalan Daya: Menambahkan Hysteresis ke Undervoltage/Overvoltage Lockout

Pembagi resistif meredam tegangan tinggi ke level yang dapat ditampung oleh rangkaian tegangan rendah tanpa overdrive atau kerusakan. Dalam rangkaian kontrol jalur daya, pembagi resistif membantu menetapkan ambang batas undervoltage dan overvoltage lockout pada pasokan daya. Rangkaian kualifikasi tegangan pasokan seperti ini ditemukan dalam sistem otomotif, instrumen portabel berbasis baterai, dan papan pemrosesan serta komunikasi data.

Undervoltage lockout (UVLO) mencegah sistem elektronik downstream beroperasi dengan tegangan pasokan daya yang terlalu rendah, yang dapat menyebabkan gangguan sistem. Misalnya, sistem digital dapat berperilaku tidak teratur atau bahkan terjam saat tegangan pasokan di bawah spesifikasi. Saat pasokan daya adalah baterai rechargeable, undervoltage lockout mencegah kerusakan baterai karena deep discharge. Overvoltage lockout (OVLO) melindungi sistem dari tegangan pasokan yang berbahaya tinggi. Karena ambang batas undervoltage dan overvoltage bergantung pada rentang operasi yang valid sistem, pembagi resistif digunakan untuk menetapkan ambang batas kustom dengan rangkaian kontrol yang sama. Hysteresis ambang diperlukan untuk mendapatkan fungsi lockout yang halus dan bebas getaran bahkan dalam kehadiran noise pasokan atau resistansi. Setelah membahas rangkaian UVLO/OVLO sederhana, artikel ini akan menyajikan beberapa metode sederhana untuk menambahkan hysteresis ambang, yang diperlukan ketika nilai default tidak mencukupi.

Rangkaian Undervoltage dan Overvoltage Lockout

Gambar 1 menunjukkan rangkaian undervoltage lockout (tanpa hysteresis untuk saat ini). Ia memiliki komparator dengan referensi tegangan positif (VT) pada input negatifnya. Komparator mengontrol sakdaya daya yang membuka atau menutup jalur antara input pasokan daya dan sistem elektronik downstream. Input positif komparator terhubung ke pembagi resistif dari input. Jika pasokan diaktifkan dan mulai naik dari 0 V, output komparator awalnya rendah, mempertahankan sakdaya daya dalam posisi mati. Output komparator berpindah ketika input positifnya mencapai VT. Pada saat ini, arus dalam resistor bawah adalah VT/RB. Arus yang sama mengalir di RT jika komparator tidak memiliki bias current input. Oleh karena itu, tegangan pasokan saat komparator berpindah adalah VT + RT × VT/RB = VT × (RB + RT)/RB. Ini adalah ambang UVLO pasokan yang ditetapkan oleh pembagi resistif. Misalnya, VT sebesar 1 V dan RT = 10 × RB menghasilkan ambang UVLO sebesar 11 V. Di bawah ambang ini, output komparator rendah, membuka sakdaya daya; di atas ambang UVLO ini, sakdaya ditutup dan pasokan mengalir untuk menyalakan sistem. Ambang dapat dengan mudah disesuaikan dengan mengubah rasio RB dan RT. Nilai absolut resistor ditetapkan oleh jumlah budget bias current untuk pembagi (selengkapnya nanti). Untuk menetapkan ambang OVLO, cukup tukarkan dua input komparator (misalnya, lihat komparator bawah dalam Gambar 2) sehingga input yang naik memaksa output komparator rendah dan membuka sakdaya.

Meningkatkan Keandalan Daya: Menambahkan Hysteresis ke Undervoltage/Overvoltage Lockout
Gambar 1. Rangkaian undervoltage lockout pasokan daya menggunakan pembagi resistif, komparator, dan sakdaya daya. (Sumber: Analog Devices)

Sementara bukan fokus artikel ini, sakdaya dapat diimplementasikan dengan MOSFET N-channel atau P-channel. Diskusi sebelumnya mengasumsikan sakdaya MOSFET N-channel yang terbuka (resistansi tinggi) ketika tegangan gate rendah (misalnya, 0 V). Untuk menutup sepenuhnya (resistansi rendah) MOSFET N-channel, tegangan gate harus lebih tinggi dari pasokan setidaknya sebesar tegangan ambang MOSFET, yang memerlukan charge pump. Pengontrol perlindungan seperti LTC4365, LTC4367, dan LTC4368 mengintegrasikan komparator dan charge pump untuk menggerakkan MOSFET N-channel sambil tetap mengonsumsi quiescent current rendah. MOSFET P-channel tidak memerlukan charge pump namun polaritas tegangan gate terbalik; yaitu, tegangan rendah menutup sedangkan tegangan tinggi membuka sakdaya MOSFET P-channel.

Kembali ke pembagi resistif: rangkaian tiga resistor menetapkan ambang undervoltage dan overvoltage lockout (Gambar 2), menghemat bias current satu pembagi dibandingkan dengan menggunakan dua string resistor terpisah. Ambang UVLO adalah VT × (RB + RM + RT)/(RB + RM) sedangkan ambang OVLO adalah VT × (RB + RM + RT)/RB. Gerbang AND menggabungkan output dari dua komparator sebelum mengirimkannya ke sakdaya daya. Oleh karena itu, sakdaya daya ditutup untuk memberi daya pada sistem ketika tegangan input berada di antara ambang undervoltage dan overvoltage; jika tidak, sakdaya terbuka, memutuskan pasokan dari sistem. Jika konsumsi arus pembagi bukan perhatian, pembagi undervoltage dan overvoltage terpisah memberikan lebih banyak fleksibilitas dalam menyesuaikan setiap ambang secara independen satu sama lain.

Meningkatkan Keandalan Daya: Menambahkan Hysteresis ke Undervoltage/Overvoltage Lockout
Gambar 2. Undervoltage dan overvoltage lockout menggunakan satu pembagi resistif. (Sumber: Analog Devices)

Undervoltage dan Overvoltage Lockout dengan Hysteresis

Dalam Gambar 1, jika pasokan daya naik lambat dan memiliki noise atau jika pasokan memiliki resistansi inherent (seperti dalam baterai) yang menyebabkan tegangan turun dengan arus beban, output komparator akan berpindah tinggi dan rendah berulang kali saat input melintasi ambang UVLO-nya. Ini karena input positif komparator berulang kali naik dan turun di atas dan di bawah ambang VT karena noise input atau turunnya karena arus beban melalui resistansi pasokan. Untuk rangkaian berbasis baterai, ini dapat menjadi osilasi yang tak berujung. Menggunakan komparator dengan hysteresis menghilangkan getaran ini, membuat transisi sakdaya lebih halus. Seperti diilustrasikan dalam Gambar 3, komparator histeretik menyajikan ambang yang berbeda untuk input naik (misalnya, VT + 100 mB) versus input turun (misalnya, VT – 100 mB). Histeresis pada level komparator diskalakan oleh RB dan RT menjadi 200 mV × (RB + RT)/RB pada level pasokan. Jika noise atau turunnya pada input pasokan di bawah histeresis ini, getaran dihilangkan. Ada cara untuk menambahkan atau meningkatkan histeresis jika yang disediakan oleh komparator tidak ada atau tidak mencukupi. Semua metode ini menggunakan umpan balik positif pada titik tap pembagi—misalnya, input komparator yang naik melompat lebih tinggi saat komparator berpindah. Untuk kesederhanaan, persamaan berikut mengasumsikan tidak ada histeresis intrinsik dalam komparator.

Meningkatkan Keandalan Daya: Menambahkan Hysteresis ke Undervoltage/Overvoltage Lockout
Gambar 3. Menambahkan histeresis ambang undervoltage lockout dengan resistor dari titik tap pembagi ke output sakdaya daya. (Sumber: Analog Devices)

Resistor dari Pembagi ke Output (Gambar 3):

Tambahkan resistor (RH) dari titik tap pembagi (input positif komparator) ke output sakdaya daya. Saat pasokan mulai naik dari 0 V, input positif komparator di bawah VT dan output komparator rendah, mempertahankan sakdaya daya dalam posisi mati. Asumsikan output sakdaya berada pada 0 V karena beban sistem. Oleh karena itu, RH berada paralel dengan RB untuk perhitungan ambang input. Ambang undervoltage input naik adalah VT × ((RB || RH) + RT)/(RB || RH), di mana RB || RH = RB × RH/ (RB + RH). Sakdaya menyala di atas ambang ini, menghubungkan pasokan ke sistem. Untuk menghitung ambang undervoltage input turun, RH berada paralel dengan RT karena sakdaya ditutup, memberikan ambang undervoltage input turun sebagai: VT × (RB + (RT || RH))/RB, di mana RT || RH = RT × RH/(RT + RH). Jika komparator itu sendiri memiliki histeresis, ganti VT dengan ambang komparator naik atau turun dalam persamaan sebelumnya. Ingat contoh Gambar 1, dengan VT = 1 V dan RT = 10 × RB, di mana baik ambang naik maupun turun adalah 11 V dalam absence histeresis komparator atau RH. Menambahkan RH = 100 × RB, seperti dalam Gambar 3, memberikan ambang input naik 11,1 V dan ambang turun 10,09 V; yaitu, histeresis sebesar 1,01 V. Metode ini tidak bekerja untuk OVLO karena input naik mematikan sakdaya daya, menyebabkan RH menarik input komparator lebih rendah (yang menyalakan sakdaya lagi) alih-alih lebih tinggi.

Beralih Resistor (Gambar 4):

Metode lain untuk menambahkan histeresis adalah dengan beralih resistor yang mengubah nilai efektif resistor bawah. Resistor yang dialihkan dapat berada paralel (Gambar 4a) atau seri (Gambar 4b). Pertimbangkan Gambar 4a: ketika VIN rendah—misalnya, 0 V—output komparator (simpul UV atau OV) tinggi, menyalakan MOSFET N-channel M1 dan menghubungkan RH paralel dengan RB. Asumsikan on-resistance M1 adalah tidak signifikan dibandingkan RH atau termasuk dalam nilai RH. Ambang input naik sama seperti dalam Gambar 3: VT × ((RB || RH) + RT)/(RB || RH). Setelah VIN di atas ambang ini, output komparator rendah, mematikan M1 dan memutuskan RH dari pembagi. Oleh karena itu, ambang input turun sama seperti dalam Gambar 1: VT × (RB + RT)/RB. Melanjutkan contoh kita dengan VT = 1 V, RT = 10 × RB, dan RH = 100 × RB, ambang input naik adalah 11,1 V dan ambang turun adalah 11 V; yaitu, RH menghasilkan histeresis sebesar 100 mV. Metode ini dan metode berikutnya dapat digunakan baik untuk undervoltage maupun overvoltage lockout karena tujuannya tergantung pada bagaimana output komparator menyalakan sakdaya daya (tidak ditampilkan).

Meningkatkan Keandalan Daya: Menambahkan Hysteresis ke Undervoltage/Overvoltage Lockout
Gambar 4. Menambahkan histeresis ambang undervoltage atau overvoltage lockout dengan resistor shunt yang dialihkan (a) atau resistor seri (b). (Sumber: Analog Devices)

Konfigurasi Gambar 4b memberikan ambang input naik sebagai VT × (RB + RT)/RB dan ambang input turun sebagai VT × (RB + RH + RT)/(RB + RH). RH = RB/10 dalam Gambar 4, memberikan 11 V sebagai ambang input naik dan 10,091 V sebagai ambang turun—yaitu, histeresis 909 mV. Ini menunjukkan bahwa konfigurasi Gambar 4b membutuhkan RH yang jauh lebih kecil untuk menghasilkan histeresis yang jauh lebih besar.

Beralih Arus (Gambar 4a):

Resistor RH dari Gambar 4a dapat diganti dengan sumber arus IH. Metode ini digunakan dalam pengontrol prioritas LTC4417 dan LTC4418. Saat VIN rendah, output tinggi komparator mengaktifkan IH. Pada ambang input naik, input negatif komparator berada pada VT. Oleh karena itu, arus di RT adalah IH + VT/RB, menghasilkan ambang naik sebagai VT + (IH + VT/RB) × RT = VT × (RB + RT)/RB + IH × RT. Setelah VIN di atas ambang ini, IH dimatikan oleh output rendah komparator. Oleh karena itu, ambang turun sama seperti dalam Gambar 1: VT × (RB + RT)/RB, dan histeresis ambang input adalah IH × RT.

Bias Current Pembagi Resistif

Persamaan sebelumnya mengasumsikan bahwa input bias current komparator adalah nol sementara contoh hanya mempertimbangkan rasio resistor alih-alih nilai absolut. Input komparator memiliki tegangan offset input (VOS), ketidakakuratan referensi (yang dapat digabungkan dengan VOS), dan input bias atau leakage current (ILK). Asumsi leakage nol bekerja jika bias current pembagi, VT/RB pada titik trip Gambar 1, jauh lebih besar dari input leakage. Misalnya, arus pembagi yang 100 kali arus leakage input menjaga kesalahan ambang input yang disebabkan oleh leakage di bawah 1%. Metode lain adalah membandingkan kesalahan ambang yang disebabkan oleh leakage dengan itu dari offset voltage. Ketidaksempurnaan komparator mengubah persamaan ambang undervoltage input Gambar 1 menjadi: (VT ± VOS) × (RB + RT)/RB ± ILK × RT (mirip dengan persamaan arus histeretik sebelumnya), yang dapat ditulis ulang sebagai (VT ± VOS ± ILK × RB × RT/(RB + RT)) × (RB + RT)/RB. Input leakage muncul sebagai kesalahan pada ambang tegangan komparator dan kesalahan ini dapat diminimalkan terkait dengan offset voltage—yaitu, ILK × (RB || RT) < VOS, dengan pemilihan resistor yang tepat.

Sebagai contoh, pengontrol perlindungan undervoltage dan overvoltage LTC4367 memiliki leakage maksimal ±10 nA untuk pin UV dan OV sementara ambang offset voltage komparator pin UV/OV sebesar 500 mV adalah ±7,5 mV (±1,5% dari 500 mV). Budgeting kesalahan ambang yang disebabkan oleh leakage ±3 mV (±0,6% dari 500 mV, atau kurang dari setengah dari offset 7,5 mV) memberikan RB || RT < 3 mV/10 nA = 300 kΩ. Untuk menetapkan ambang undervoltage input 11 V dengan ambang komparator 0,5 V membutuhkan RT = RB × 10,5 V/0,5 V = 21 × RB. Oleh karena itu, RB || RT = 21 × RB/22 < 300 kΩ, memberikan RB < 315,7 kΩ. Nilai standar 1% terdekat untuk RB adalah 309 kΩ, menghasilkan RT sebesar 6,49 MΩ. Bias current pembagi pada titik trip adalah 0,5 V/309 kΩ = 1,62 µA, yang merupakan 162 kali arus leakage 10 nA. Analisis jenis ini penting saat meminimalkan arus pembagi tanpa meningkatkan kesalahan ambang karena input leakage current komparator.

Kesimpulan

Pembagi resistif memungkinkan penyesuaian mudah ambang undervoltage dan overvoltage lockout pasokan daya dengan rangkaian kontrol berbasis komparator yang sama. Noise atau resistansi pasokan memerlukan histeresis ambang untuk mencegah getaran sakdaya daya menyala dan mati saat pasokan melintasi ambang. Beberapa metode untuk mengimplementasikan histeresis undervoltage dan overvoltage lockout telah ditunjukkan. Prinsip esensial adalah memiliki umpan balik positif pada titik tap pembagi saat komparator berpindah. Saat menambahkan atau meningkatkan histeresis pada IC pengontrol perlindungan, beberapa metode bergantung pada ketersediaan output komparator atau sinyal serupa pada pin output IC. Saat memilih nilai resistor, perhatikan agar input leakage komparator tidak menjadi sumber dominan kesalahan ambang. Kumpulan lengkap persamaan terkait, termasuk yang dalam artikel ini, telah diimplementasikan dalam spreadsheet yang tersedia untuk diunduh.


Meningkatkan Keandalan Daya: Menambahkan Hysteresis ke Undervoltage/Overvoltage LockoutPinkesh Sachdev adalah insinyur aplikasi senior untuk manajemen sistem daya di Analog Devices. Ia menerima gelar B.Tech. dari Indian Institute of Technology, Mumbai, India, dan gelar M.S. dari Stanford University, keduanya dalam teknik elektro. Ia dapat dihubungi di pinkesh.sachdev@analog.com.

Konten Terkait:

Untuk lebih banyak konten Embedded, berlangganan newsletter harian mingguan Embedded.


Tertanam

  1. Histeresis dalam Thyristor: Bagaimana Feedback Positif Mengaktifkan Pengunci
  2. Menguasai Perulangan For C#: Sintaks, Alur, dan Contoh Praktis
  3. Arm Memperkenalkan Dukungan Instruksi Kustom untuk Core Cortex-M, Memperluas Fleksibilitas
  4. Co-Simulation untuk Desain SoC Zynq: Mempercepat Verifikasi Hardware–Software
  5. Infineon Meluncurkan TPM 2.0 Pertama Fokus Industri di Hannover Messe
  6. SSD Cervoz T405 M.2 NVMe: 5× Lebih Cepat dari SATA III untuk Storage Tinggi
  7. Komputer Relai Syslogic: Memacu Pemeliharaan Prediktif untuk Operasi Rel yang Terpercaya dan Hemat Biaya
  8. OnRobot Meluncurkan Gripper Adhesif Gecko Kompak untuk Permukaan Halus, Mengkilap, dan Berlubang
  9. 4 Strategi Terbukti untuk Menambahkan Layanan LTL ke Perantara Anda
  10. Overvoltage & Undervoltage Dijelaskan: Lindungi Peralatan Anda