Pengendalian Morfologi GaN pada Si(111) dengan Pra-Deposisi Al dan Rasio Ga/N dalam MBE

AbstrakKami menyajikan proses rendah suhu yang sederhana untuk membuat array detektor ultraviolet (UV) terkontrol gate berdasarkan transistor efek lapangan (FET) jaringan nanowire (NW) zink oksida (ZnO). Metode menggabungkan substrat yang dipola molekuler, penyusunan NW selektif melalui teknik tarik

AbstrakDoping tipe p yang tidak efisien yang diinduksi Mg telah tetap menjadi hambatan utama dalam pengembangan perangkat elektronik berbasis GaN untuk penerangan padat dan aplikasi daya. Studi ini melaporkan analisis struktural komparatif cacat dalam lapisan GaN pada substrat GaN bebas di mana inco

Abstrak Elektroda konduktif transparan fleksibel adalah komponen penting untuk perangkat optoelektronik fleksibel dan telah banyak dipelajari dalam beberapa tahun terakhir, sementara sebagian besar penelitian berfokus pada elektroda itu sendiri, sedikit topik mengenai keberlanjutan dan daur ulang ma

AbstrakPerkenalan “metamaterial” telah memberikan dampak yang mendalam pada beberapa bidang, termasuk elektromagnetik. Namun, merancang struktur metamaterial sesuai permintaan masih merupakan proses yang sangat memakan waktu. Sebagai metode machine learning yang efisien, deep learning telah banyak d