Sensor Kelembaban FET Ultra-Sensitif Menggunakan Nanopartikel In₂O₃ Doped Pt Cetak Inkjet—Operasi Suhu Ruangan
Abstrak
Dalam karya ini, nanopartikel In₂O₃ doped Pt (Pt-In₂O₃) dicetak inkjet pada platform sensor tipe FET yang memiliki gerbang terapung secara horizontal sejajar dengan gerbang kontrol untuk deteksi kelembaban pada suhu ruangan. Perilaku sensor kelembaban (RH) tipe FET diselidiki dalam rentang dari 3,3 (udara kering dalam karya) hingga sekitar 18%. Metode pengukuran pulsa diterapkan pada uji RH transient sensor tipe FET untuk menekan drift dasar sensor. Sensor resistif tipe Pt-In₂O₃ cetak inkjet juga dirakit pada wafer yang sama untuk perbandingan, dan tidak menunjukkan respons pada tingkat RH rendah (di bawah 18%). Sebaliknya, sensor tipe FET menunjukkan sensivitas kelembaban rendah yang luar biasa dan respons cepat (32% respons dan waktu respons 58 detik untuk 18% RH) karena mampu mendeteksi perubahan fungsi kerja bahan sensori yang diinduksi oleh fisiorpsorsi molekul air. Mekanisme sensor tipe FET dan prinsip di belakang perbedaan performa sensori antara dua jenis sensor dijelaskan melalui analisis proses adsorpsi molekul air dan diagram diagram energi. Penelitian ini sangat berguna untuk studi mendalam perilaku sensori kelembaban Pt-In₂O₃, dan sensor kelembaban tipe FET yang diusulkan dapat menjadi kandidat potensial dalam bidang deteksi gas real-time.
Pendahuluan
Sensor kelembaban dibutuhkan untuk deteksi dan kontrol kelembaban di berbagai sektor, seperti industri semiconductor dan otomotif, pertanian, dan bidang medis [1,2,3,4]. Mereka dapat diklasifikasikan menjadi tipe kapasitif [5,6,7], tipe resistif [8,9,10], tipe elektrolit padat [11], tipe gelombang akustik permukaan (SAW) [12], mikroskop kristal kuarsa (QCM) [13], dll. tergantung pada mekanisme operasi dan pendekatan sensori. Di antara mereka, sensor kelembaban tipe resistif, yang mendeteksi variasi resistivitas bahan sensori dengan jumlah molekul air yang terserap, telah menarik perhatian peneliti terutama karena struktur sederhana, fabrikasi mudah, dan operasi serta aplikasi yang nyaman [14, 15]. Untuk mengembangkan sensor kelembaban tipe resistif yang andal dengan sensivitas tinggi dan waktu respons serta pemulihan yang pendek, berbagai bahan baru telah diteliti [14, 15], dan oksida logam terstruktur nano diidentifikasi sebagai kandidat kuat dengan mempertimbangkan biaya rendah, stabilitas operasi yang tinggi, dan kompatibilitas yang baik [15,16,17,18,19].
Terakhir, In₂O₃, sebagai oksida logam semikonduktor tipe n yang tipikal, telah menarik perhatian banyak karena karakteristik sensori yang menjanjikan dalam deteksi berbagai gas target [20,21,22]. Ditemukan bahwa impedansi In₂O₃ sensitif terhadap kelembaban bahkan pada suhu ruangan, terutama yang doped atau dihiasi dengan logam mulia atau oksida lain [14, 23,24,25]. Namun, sensor kelembaban tipe resistif yang didasarkan pada In₂O₃ sebagian besar dievaluasi dengan tegangan eksitasi AC tanpa bias DC untuk menghindari polarisasi sensor [23]. Akibatnya, arus yang diukur perlu direhabilitasi dan direstifikasi menjadi sinyal DC untuk penskalan atau pemrosesan lainnya [26], yang meningkatkan kompleksitas pengukuran dan membatasi aplikasi sensor. Selain itu, sebagian besar dari mereka menunjukkan resolusi dan sensivitas yang relatif buruk untuk deteksi tingkat kelembaban rendah (di bawah 25%) dan perlu ditingkatkan lebih lanjut [23, 27].
Dalam karya ini, platform sensor FT dirancang, yang memiliki gerbang terapung (FG) perencana menghadap gerbang kontrol (CG) secara horizontal. Nanopartikel In₂O₃ doped Pt (Pt-In₂O₃) disetapkan pada substrat sensor FT sebagai bahan sensori dengan proses cetak inkjet untuk deteksi kelembaban relatif (RH) di bawah 18%. Konstruksi khusus platform sensor FT membuat penyetoran bahan sensori sangat mudah dan menghindari polusi saluran substrat sensor FT. Yang lebih penting, tidak seperti mekanisme perubahan impedansi sensor tipe resistif, platform sensor FT mencerminkan perubahan fungsi kerja bahan sensori, yang secara efektif meningkatkan performa kelembaban sensor berbasis In₂O₃. Dalam artikel ini, performa sensori RH dari sensor kelembaban Pt-In₂O₃ tipe FT yang diusulkan diuraikan secara rinci dan dibandingkan dengan sensor tipe resistif Pt-In₂O₃ yang dirancang pada wafer silikon yang sama. Eksperimen menunjukkan bahwa fungsi kerja permukaan Pt-In₂O₃ jauh lebih sensitif terhadap adsorpsi uap air dibandingkan perubahan resistansi. Mekanisme di balik performa sensori kedua sensor dan perbedaan di antaranya dibahas dengan menggunakan diagram energi dari bahan sensori. Perilaku adsorpsi uap air pada Pt-In₂O₃ dan prosedur reaksi juga dijelaskan.
Metode
Fabrikasi Platform
Untuk memahami secara mendalam prinsip sensori sensor kelembaban FT yang diusulkan, perangkat tipe resistif dengan bahan sensori Pt-In₂O₃ yang sama juga diteliti dalam makalah ini. Platform sensor tipe resistif (Gambar 1a) dan tipe FT (Gambar 1b) dirancang pada wafer silikon yang sama untuk perbandingan yang adil di antara keduanya. Gambar 1a menunjukkan platform resistansi kosong, dan insetnya adalah elektroda diperbesar setelah terbentuknya lapisan Pt-In₂O₃ transparan. Gambar 1b menunjukkan platform FT yang dirancang dalam karya kami sebelumnya [28, 29]. Platform ini memiliki empat elektroda termasuk CG, drain (D), source (S), dan elektroda badan. Untuk melindungi wilayah aktif platform FT seperti ditandai pada Gambar 1a, FG diperpanjang diadoppsi, yang sejajar dengan CG dalam arah horizontal. Struktur interdigitated dari dua gerbang digunakan untuk kapasitensi kopling yang baik di antara keduanya. Selain itu, passivasi SU-8 juga dilakukan untuk hanya mengekspos wilayah sensori seperti ditandai pada Gambar 1b dan pad kontak elektroda. Gambar 1 c dan d adalah tampilan potongan skematik sepanjang dan tegak lurus saluran FT, yang masing-masing sepanjang garis A–A’ dan garis B–B’ pada Gambar 1b. Panjang dan lebar saluran adalah 2 μm dan 2.4 μm, masing-masing. Langkah-langkah fabrikasi utama dijelaskan sebagai berikut. Dalam karya ini, platform pMOSFET terutama dirancang karena memiliki noise 1/f yang lebih rendah dibanding nMOSFET [30]. Pertama, oksida lapangan tebal 550 nm ditumbuhi untuk isolasi wilayah aktif melalui proses oksidasi lokal silikon (LOCOS). Saluran tertutup FT terbentuk oleh implantasi ion, dan oksida gerbang tebal 10 nm ditumbuhi melalui proses oksidasi kering pada 800 °C. Kemudian, lapisan poly-Si n+ in situ-doped tebal 350 nm ditetapkan dan diatur untuk bertindak sebagai FG. Wilayah source dan drain p+ yang sangat doped terbentuk oleh proses implantasi ion. Untuk mencegah FG dan saluran dari molekul tidak diinginkan (misalnya, H₂O) dan jebakan muatan, lapisan passivasi ONO yang terdiri dari SiO₂ (10 nm)/Si₃N₄ (20 nm)/SiO₂ (10 nm) terbentuk di seluruh wafer. Setelah menentukan lubang kontak, lapisan tumpukan Cr (30 nm)/Au (50 nm) ditetapkan secara berurutan dan diatur untuk bertindak sebagai elektroda CG, D, S, dan badan FT. Perlu dicatat bahwa elektroda sensor tipe resistif juga dirancang secara bersamaan. Terakhir, lapisan passivasi SU-8 yang terbentuk dengan penapisan diatur di atas platform melalui proses litografi untuk hanya mengekspos area FG-CG interdigitated dari platform FT (wilayah sensori pada Gambar 1a), area elektroda interdigitated dari platform resistansi, dan semua pad untuk kontak elektroda.
Sensor gas tipe resistif dan FT dengan nanopartikel Pt-In₂O₃ cetak inkjet. a Citra SEM platform sensor tipe resistif. Inset menunjukkan elektroda diperbesar setelah terbentuknya lapisan sensori Pt-In₂O₃. b Citra SEM sensor FT dengan FG sejajar dengan CG secara horizontal. c Tampilan potongan skematik sepanjang garis A–A’ pada b. d Tampilan potongan skematik sepanjang garis B–B’ pada b. Panjang dan lebar saluran adalah 2 μm dan 2.4 μm, masing-masing
Bahan
Bubuk nanopartikel In₂O₃ (≤ 100 nm diameter), etanol (99%), 8-Wt% H₂PtCl₆ (dalam H₂O), dan air deion (DI) dibeli dari Sigma-Aldrich (USA) untuk persiapan bahan sensori. Semua kimia dalam makalah ini digunakan tanpa pemurnian lebih lanjut.
Penyetoran Bahan Sensori
Bahan sensori Pt-In₂O₃ terbentuk melalui proses cetak inkjet. Pertama, bubuk nanopartikel In₂O₃ dilarutkan dalam etanol dan diaduk menyeluruh untuk mendapatkan larutan seragam. Larutan 8-Wt% H₂PtCl₆ (dalam H₂O) kemudian diencerkan dengan air DI ke konsentrasi yang diinginkan dan dicampur bersama larutan In₂O₃ untuk bertindak sebagai tinta prekursor. Tinta yang disiapkan dicetak pada kedua jenis platform menggunakan printer inkjet (Omni Jet 100), diikuti dengan proses pemanasan 2 jam pada 300 °C dalam udara untuk menguapkan sepenuhnya pelarut dari lapisan sensori yang dicetak. Wt% Pt dalam lapisan sensori diatur menjadi 10 Wt% untuk fokus terutama pada analisis efek adsorpsi uap air.
Setup Pengukuran
Gambar 2 menunjukkan setup pengukuran yang digunakan dalam karya ini. Pada Gambar 2, sampel gas lembap dibuat dengan mencampur udara kering dan udara lembap yang disiapkan dengan menyuntik udara kering melalui gelembung, dalam ruang pencampuran. Laju alir total sampel udara lembap diatur tetap pada 400 sccm, dan kelembaban relatif ditentukan dengan menyeimbangkan laju alir udara kering dan lembap melalui programmer alir mass multichannel dan dikalibrasi oleh kalibrator kelembaban. Gas referensi (udara kering) dengan laju alir 400 sccm juga digunakan. Selama uji sensori kelembaban dinamis, udara kering referensi dan sampel udara lembap ditiup ke sensor secara bergantian. Semua karakteristik sensori sensor diuji pada 25 °C (suhu ruangan). Pengukuran listrik dilakukan menggunakan Agilent B1500A.
Setup pengukuran. Semua karakteristik sensor diuji pada 25 °C (suhu ruangan)
Hasil dan Pembahasan
Pertama, karakteristik I-V dasar sensor tipe resistif dan FT Pt-In₂O₃ diukur dan divisualisasikan pada Gambar 3 a dan b, masing-masing. Kurva I-V double sweep resistor yang ditunjukkan pada Gambar 3a menunjukkan perilaku kontak ohmik dari film Pt-In₂O₃ terhadap elektroda baik dalam sensor tipe resistif maupun FT. Pada Gambar 3b, kurva DC I-V dan pulsed I-V (PIV) double sweep sensor FT dari positif ke negatif dan kembali divisualisasikan bersama untuk perbandingan. Inset adalah skema pulsa yang digunakan untuk pengukuran PIV. Pada hasil DC I-V, histeresis dapat diamati, yang diinduksi oleh penangkap muatan dalam bahan sensori dan pada antarmuka antara bahan sensori dan tumpukan passivasi ONO. Dalam lingkungan kerja tradisional sensor tipe FT, bias DC biasanya diterapkan pada elektroda untuk melacak sinyal sensing arus. Namun, karena penangkap muatan yang disebutkan di dalam perangkat, arus sensor FT dapat drift secara signifikan seiring waktu, yang mengganggu dasar arus dan mengurangi akurasi. Sebaliknya, dalam PIV sensor kelembaban FT yang diusulkan, histeresis ditekan dengan menggunakan bias gerbang pulsa. Berdasarkan hasil tersebut, untuk mendapatkan sinyal sensing yang andal dan stabil saat mengukur properti sensing transient sensor tipe FT, metode pengukuran pulsa diadopsi [29, 31] yang diilustrasikan pada Gambar 4a.
Properti listrik dasar sensor tipe resistif dan FT Pt-In₂O₃ pada T = 25 °C. a Kurva I-V double sweep sensor tipe resistif. Hasil pemindaian tegangan maju dan mundur tumpang tindih satu sama lain. b Kurva DC dan pulsed I-V (PIV) double sweep sensor FT. Inset menunjukkan skema pulsa yang digunakan untuk pengukuran PIV
Performa sensori dua jenis sensor untuk 9,4% RH. a Skematik sensor FT dan skema pulsa yang digunakan untuk pengukuran sensor FT dalam karya ini. b |I_D| sensor FT berdasarkan pMOSFET menurun secara signifikan saat RH meningkat dari 3,3 hingga 9,4%. Sensor ditiup dengan udara lembap selama 100 detik dari sekitar 70 hingga 170 detik. c Pengukuran transient DC sensor tipe resistif dan tidak ada respons yang diamati dari sensor tipe resistif untuk 9,4% RH
Gambar 4a menunjukkan skema pulsa dan strategi implementasi metode pengukuran pulsa untuk sensor kelembaban tipe FT. Sisi kiri Gambar 4a adalah skematik sensor FT, dan bias pulsa diterapkan pada elektroda CG dan D oleh dua generator gelombang Agilent B1500A. Waktu on (lebar pulsa) t_on dan waktu off t_off dalam satu periode pulsa diatur tetap pada 20 μs dan 1 detik, masing-masing. Selama waktu off t_off, semua elektroda CG, D, dan S FT di-grounding, dan tidak ada arus drain (I_D) yang dibaca. Selama waktu on t_on, tegangan baca CG dan D yang sesuai (V_rCG dan V_rDS) diterapkan secara sinkron untuk mengumpulkan sampel I_D. Gambar 4 b dan c menunjukkan perilaku sensori sensor tipe FT dan tipe resistif, masing-masing, saat terpapar kelembaban relatif (RH) 9,4% selama 100 detik. Perlu dicatat bahwa, untuk sensor tipe resistif, hanya tegangan DC konstan yang diadopsi. Sensor tipe resistif Pt-In₂O₃, yang mencerminkan perubahan resistansi bahan sensori, tidak sensitif terhadap peningkatan RH dari 3,3% (udara kering) hingga 9,4%. Namun, arus drain absolut |I_D| sensor pMOSFET menurun secara signifikan dengan peningkatan RH dan kembali ke dasar asli dalam sekitar 400 detik selama periode pemulihan sensor. Karena mekanisme sensori sensor tipe FT adalah perubahan fungsi kerja Pt-In₂O₃ yang disebabkan oleh adsorpsi molekul air, hasil pengukuran menunjukkan bahwa fungsi kerja bahan sensori lebih sensitif terhadap perubahan RH dibandingkan resistansi. Penjelasan rinci tentang perilaku sensori ini dan alasan perbedaan sensivitas kelembaban di antara dua platform akan dibahas lebih lanjut dalam makalah ini.
Selanjutnya, respons dinamis sensor tipe FT terhadap berbagai tingkat RH (7,6%, 9,4%, 11,4%, 13,4%, 15,5%, dan 17,8%) diukur dan disajikan pada Gambar 5a. Respons sensor tipe FT dinotasikan sebagai S_RH dinyatakan oleh Eq. (1) [32], di mana I_D_D dan I_D_H adalah arus drain asli dalam udara kering dan arus dalam lingkungan lembap pada suatu tingkat RH, masing-masing.
Deteksi kelembaban menggunakan sensor tipe FT yang diusulkan. a Pengukuran sensori kelembaban transient pada T = 25 °C. RH = 3,3%, 7,6%, 9,4%, 11,4%, 13,4%, 15,5%, dan 17,8%. b S_RH sebagai parameter RH dalam rentang dari 3,3 hingga 17,8%. c Variasi t_res dan t_rec sensor tipe FT dengan tingkat RH
Gambar 5b memplot S_RH sebagai fungsi RH yang berkisar dari 3,3 (udara kering) hingga sekitar 18%. S_RH cenderung sebanding dengan RH dalam rentang ini. Perlu dicatat bahwa respons dinamis sensor resistif Pt-In₂O₃ terhadap RH juga diukur, tetapi tidak ada perubahan resistansi bahan sensori yang diamati (dari 3,3 hingga 18% RH). Waktu respons t_res dan waktu pemulihan t_rec didefinisikan sebagai waktu yang diperlukan untuk arus berubah menjadi 90% dari nilai akhirnya [33]. Gambar 5c menyajikan variasi t_res dan t_rec sensor tipe FT dengan RH 3,3–18%. t_res berkurang sedikit dengan peningkatan RH, dan semua t_res yang sesuai dengan nilai RH yang berbeda kurang dari 60 detik. Sebaliknya, peningkatan RH memiliki efek berlawanan terhadap t_rec sensor. Berdasarkan hasilnya, sensor kelembaban tipe FT yang diusulkan memiliki respons yang sangat cepat dan tinggi terhadap tingkat RH rendah pada suhu ruangan.
Untuk menjelaskan mekanisme sensori kelembaban sensor tipe FT Pt-In₂O₃ yang diteliti dalam makalah ini di bawah sekitar 18% RH, skematik adsorpsi molekul air dan diagram energi terkait di dekat antarmuka antara tumpukan ONO dan bahan sensori dibangun seperti ditunjukkan pada Gambar 6. Gambar 6a menggambarkan berbagai jenis adsorpsi molekul air pada permukaan partikel Pt-In₂O₃. Dengan tindaka katalitik Pt, molekul air dipromosikan untuk bereaksi dengan spesies oksigen yang telah teradsorpsi (O_ad⁻) menghasilkan grup hidroksil (–OH) pada permukaan In₂O₃ seperti ditunjukkan pada Eq. (2) [34].
Skematik adsorpsi molekul air dan diagram energi terkait. a Lapisan kimiaadserpsi dan fisiorsorsi molekul air pada bahan sensori Pt-In₂O₃. b Diagram energi dekat antarmuka antara tumpukan ONO dan lapisan sensori sebelum deteksi RH. Diasumsikan berada pada keadaan pita datar. c Diagram energi setelah deteksi RH. Dipol di antarmuka menurunkan fungsi kerja bahan sensori
Hidroksil ini tertinggal pada permukaan bahan sensori dan menyusun lapisan kimiaadserpsi pertama karena sulit untuk melepas ion yang terkimiaadserpsi erat pada suhu ruangan [35]. Kemudian, selama uji sensori, dengan peningkatan tingkat RH, lebih banyak molekul air mulai teradsorpsi pada hidroksil melalui ikatan hidrogen ganda dan menyusun lapisan adsorpsi kedua, yaitu lapisan fisiorsorsi pertama yang hampir tidak memiliki ion yang bergerak di dalamnya. Saat tingkat RH meningkat lebih lanjut, lebih banyak lapisan menumpuk setelah lapisan fisiorsorsi pertama terisi pada permukaan bahan sensori seperti ditunjukkan pada Gambar 6a, yaitu, lapisan multi-fisiorsorsi. Menurut literatur [23], impedansi In₂O₃ mulai menurun sampai RH mencapai lebih dari sekitar 54%. Pada tingkat RH rendah, hanya lapisan fisiorsorsi pertama yang terbentuk, di mana tidak ada proton yang bergerak yang berkontribusi pada konduksi listrik. Setelah itu, lapisan multi-fisiorsorsi terbentuk melalui ikatan hidung tunggal, di mana proton yang bergerak (H⁺) akan dihasilkan oleh ionisasi di bawah medan listrik. Proton ini melompat di antara molekul air yang teradsorpsi yang menginduksi konduktivitas yang lebih tinggi dari bahan sensori, yaitu, mekanisme Grotthuss [27, 36,37,38]. Dalam makalah ini, tidak ada perubahan arus yang diamati pada sensor tipe resistif Pt-In₂O₃, yang menunjukkan bahwa grup –OH telah menutupi permukaan bahan sensori dan hanya fisiorsorsi molekul air yang terjadi saat RH meningkat selama pengukuran. Akibatnya, sensor tipe resistif Pt-In₂O₃ menunjukkan sensivitas yang buruk terhadap peningkatan RH di bawah 18%.
Dalam kasus sensor tipe FT, mekanisme sensori adalah perubahan fungsi kerja bahan sensori, yang berbeda dari sensor tipe resistif. Menurut hasil sensor tipe resistif, dalam kondisi tingkat RH yang diukur dalam makalah ini, tidak ada transfer elektron antara bahan sensori dan molekul air dalam lapisan fisiorsorsi. Namun, molekul air yang teradsorpsi tersebut dapat menciptakan dipol pada permukaan partikel In₂O₃ yang menunjuk menjauh dari bahan sensori (Gambar 6a). Gambar 6 b dan c menunjukkan diagram energi In₂O₃ dekat antarmuka antara lapisan sensori dan tumpukan ONO sebelum dan setelah deteksi kelembaban, yang menggambarkan efek dipol. Dari sudut pandang pita energi, hidroksil yang terkimiaadserpsi sudah ada pada permukaan In₂O₃ sebelum uji, dan kita mengasumsikan bahwa itu berada pada keadaan pita datar sebelum deteksi kelembaban untuk kenyamanan (Gambar 6b). E_VAC, E_C, E_F, dan E_V dalam diagram masing-masing menunjukkan energi vakum, pita konduksi, pita valensi, dan level Fermi. Selisih antara E_VAC dan E_F sebelum uji sensori, yaitu, fungsi kerja, dari In₂O₃ pada antarmuka antara lapisan sensori dan tumpukan ONO, didefinisikan sebagai Φ_S1. Setelah fisiorsorsi molekul air, dipol terbentuk di antarmuka mengurangi afinitas elektron dan menghasilkan penurunan seragam fungsi kerja dari Φ_S1 ke Φ_S2. Selisih antara Φ_S1 dan Φ_S2 dinotasikan sebagai ΔΦ seperti ditunjukkan pada Gambar 6c. Hampir tidak ada transfer elektron dari molekul air yang terfisiorsorsi ke In₂O₃. Namun, ΔΦ dapat menghasilkan aksiulasi elektron dalam badan FT dekat antarmuka antara oksida gerbang dan badan, jadi |I_D| pMOSFET menurun. Dengan kata lain, meskipun tidak ada perubahan dalam resistansi lapisan Pt-In₂O₃, dipol yang dibentuk oleh molekul air yang teradsorpsi dalam lapisan fisiorsorsi dapat menyesuaikan fungsi kerja bahan sensori dan akhirnya menginduksi perubahan arus drain sensor tipe FT.
Kesimpulan
Secara ringkasan, sensor tipe FT dengan nanopartikel Pt-In₂O₃ cetak inkjet diteliti untuk deteksi RH rendah yang berkisar dari 3,3 hingga 18% pada suhu ruangan. Sensor tipe resistif Pt-In₂O₃ yang dirancang pada wafer silikon yang sama tidak sensitif terhadap perubahan kelembaban pada tingkat RH rendah. Sebaliknya, sensor tipe FT menunjukkan respons kelembaban yang cepat dan luar biasa. Prinsip di balik fenomena ini dijelaskan dengan teori pita energi dan perilaku adsorpsi molekul air pada bahan sensori. Karena hanya lapisan fisiorsorsi yang dihasilkan, tidak ada transfer elektron yang terjadi untuk berkontribusi pada penurunan resistansi sensor tipe resistif, sedangkan molekul air yang terfisiorsorsi membentuk dipol yang dapat mengubah afinitas elektron dan menghasilkan peningkatan fungsi kerja bahan sensori. Oleh karena itu, sensor kelembaban Pt-In₂O₃ tipe FT yang diusulkan menjanjikan dalam aplikasi deteksi tingkat kelembaban rendah.
Ketersediaan Data dan Bahan
Data yang digunakan dan/atau dianalisis selama studi saat ini tersedia dari penulis yang sesuai atas permintaan yang wajar.
Singkatan
Pt-In₂O₃ :
Nanopartikel In₂O₃ doped Pt
FET:
Transistor efek lapangan
RH:
Kelembaban relatif
SAW:
Gelombang akustik permukaan
QCM:
Mikroskop kristal kuarsa
AC:
Arus bolak-balik
DC:
Arus searah
FG:
Gerbang terapung
CG:
Gerbang kontrol
SU-8:
SU-8
MOSFET:
Transistor efek lapangan logam-oksida-semikonduktor
