Persiapan dan Sifat Kapasitansi Spesifik Sulfur, Titik Kuantum Grafena Co-Doped Nitrogen
Abstrak
Sulfur, titik-titik kuantum graphene co-doped nitrogen (S, N-GQDs) dengan kristalinitas tinggi diperoleh dengan strategi top-down. S, N-GQD yang disiapkan telah diselidiki dan hasilnya menunjukkan bahwa S, N-GQD menunjukkan dimensi melintang sekitar 20 nm dan ketinggian topografi 1-2 lapisan graphene. Penggabungan S, N dapat secara efektif mengurangi lapisan GQD dan mengupas lembaran graphene. Selain itu, S, N-GQD mengungkapkan pita serapan yang terletak pada 405 nm dan menunjukkan karakteristik fluoresensi yang dapat disesuaikan dalam rentang eksitasi yang terlihat. Sementara itu, S, N-GQD menunjukkan kapasitansi spesifik yang tinggi sebesar 362,60 F g
−1
pada kecepatan pemindaian tetap 5 mV s
−1
. Performa tinggi ini dianggap berasal dari pseudocapacitance tinggi tambahan yang disediakan oleh S, N yang didoping dan status doping yang bertindak sebagai status jebakan untuk meningkatkan kapasitas penyimpanan muatan. Keunggulan kapasitansi spesifik yang tinggi dari S, N-GQD menggambarkan prospek potensial mereka dalam kapasitor.
Pengantar
Graphene quantum dots (GQDs) telah menarik banyak perhatian karena biokompatibilitasnya yang baik, inersia kimia, photoluminescence, upconversion luminescence, dan banyak digunakan dalam bioimaging, perangkat optoelektronik, fotokatalisis, biosensor, sel bahan bakar, dan deteksi ion logam berat [1, 2,3,4]. Hingga saat ini, GQD telah diperoleh melalui berbagai metode sintetik yang melibatkan “bottom-up” dan “top-down” [5]. Metode bottom-up termasuk mengubah prekursor yang sesuai menjadi GQD dengan pirolisis atau karbonisasi, sintesis organik bertahap, pembukaan kandang C60 , dan sejenisnya [6,7,8,9]. Sebaliknya, metode "top-down" adalah memotong bahan karbon berukuran besar menjadi nanopartikel karbon berukuran nano dengan metode fisik atau kimia, termasuk litografi berkas elektron, stripping asam, oksidasi elektrokimia, sintesis hidrotermal, dll. [10,11, 12,13]. Dibandingkan dengan metode bottom-up, rute top-down memiliki banyak keuntungan termasuk sumber daya yang luas, produksi yang besar, dan persiapan yang mudah. Selain itu, GQD yang disiapkan dengan pendekatan top-down biasanya memiliki gugus fungsi yang mengandung oksigen di tepinya, sehingga dapat mempromosikan pembubaran, fungsionalisasi, dan pasivasinya [14].
Doping bertindak sebagai metode yang efektif untuk mengatur sifat bahan nano. Doping semikonduktor tipe-n dan tipe-p dapat mengubah struktur elektronik bahan semikonduktor, yang menyebabkan perubahan sifat optik dan listrik [15,16,17]. GQD yang didoping mengacu pada konsep doping semikonduktor, yang terutama mengacu pada pengenalan S, N, Se, dan elemen lainnya ke dalam GQD yang rusak yang terdiri dari elemen C dan O [18,19,20,21]. Atom N memiliki ukuran atom yang sama dengan atom C dan lima elektron valensi. N terikat dengan atom C telah banyak diterapkan dalam doping kimia nanomaterial karbon [22, 23]. Hu dkk. mensintesis N-GQD berpendar biru tinggi yang menunjukkan pendaran terang dan biokompatibilitas yang sangat baik [24]. Majumder dkk. menyiapkan nanorod N-GQDs/ZnO dengan efisiensi fotokonversi yang unggul dan sifat fotoelektrokimia yang lebih baik [25]. Yan dkk. membuat novel N-GQDs-ZnNb2 O6 /g-C3 N4 katalis, yang menunjukkan tingkat evolusi hidrogen yang jauh lebih tinggi [26]. Chen dkk. memperoleh N-GQD/Bi2 O3 katalis untuk reduksi elektrokimia CO2 [27]. Baru-baru ini, beberapa peneliti telah berhasil menyiapkan GQD co-doped S, N yang menunjukkan kinerja yang sangat baik. Zhang dkk. menggunakan metode hidrotermal satu langkah untuk mencapai SN-GQD dengan pendaran yang lebih terang [28]. Xu dkk. membuat GQD co-doped S, N dengan pendaran yang dapat disetel, yang menunjukkan deteksi fluoresen Fe
3+
yang sangat selektif dan sensitif [29]. Mondal dkk. menggunakan S, N GQD co-doped sebagai sensor yang sangat baik untuk bahan peledak nitro [30]. Zheng dkk. mengembangkan SN-GQD/TiO2 fotokatalis yang menunjukkan 3,2 kali H2 O2 hasil dari TiO kosong2 [31]. Meskipun ada beberapa pekerjaan yang dilaporkan pada sifat optik dan penginderaan belerang, titik-titik kuantum graphene yang didoping bersama nitrogen (S, N-GQDs), pengaruh doping S dan N pada karakteristik kapasitansi spesifik S, N-GQD adalah jarang belajar.
Dalam makalah ini, kami melaporkan metode hidrotermal top-down untuk mensintesis S, N co-doped GQDs (S, N-GQDs) melalui penggunaan grafit sebagai sumber C dan tiourea sebagai sumber S dan N. Pada saat yang sama, pengaruh rasio doping pada sifat elektrokimia S, N-GQD diselidiki dengan mengubah rasio tiourea dari 1:1 menjadi 1:3.
Metode dan Eksperimental
Tujuan Studi
Untuk mempelajari pengaruh rasio doping pada kinerja kapasitansi spesifik S, N-GQD, rasio doping yang berbeda S, N-GQD disiapkan dengan metode hidrotermal top-down sederhana. Untuk awalnya mengevaluasi karakteristik kapasitansi spesifiknya, kapasitansi spesifik dari rasio doping yang berbeda S, N-GQD diukur dengan voltametri siklik.
Materi
Grafit (99,9%), asam sulfat (H2 JADI4 ), asam nitrat (HNO3 ), hidrogen peroksida (H2 O2 ), natrium nitrat (NaNO3 ), etanol anhidrat (CH3 CH2 OH), tiourea (CH4 N2 S), natrium sulfit anhidrat (Na2 JADI3 ), kalium permanganat (KMnO4 ), dan natrium hidroksida (NaOH). Semua bahan yang digunakan murni analitik dan tanpa pemurnian lebih lanjut.
Persiapan Grafit Oksida
Grafit oksida diperoleh dengan metode Hummers yang khas. Pertama, 5 g grafit serpihan dicampur dengan 110 ml H2 JADI4 , 2,5 g NaNO3 dan 15 g KMnO4 , dan campuran diaduk pada 6 °C selama 90 menit. Kemudian, campuran diaduk pada suhu 35–40 °C selama 30 menit untuk mengoksidasi lebih lanjut grafit. Terakhir, 220 ml air DI ditambahkan ke dalam larutan dan direaksikan pada 90–100 °C selama 15 menit, dan 30 ml H2 O2 (30%) telah ditambahkan.
Sintesis S, N-GQD
Pada awalnya, graphene (100 mg) yang diperoleh dengan reduksi termal oksida grafit ditambahkan ke campuran H2 JADI4 (60 ml) dan HNO3 (20 ml). Solusinya disonikasi selama 10 jam dan dicuci dengan sentrifugasi untuk menghilangkan kelebihan asam. Kedua, produk masing-masing didispersikan dengan 100 mg, 200 mg, 300 mg tiourea (rasio massa graphene terhadap tiourea adalah 1:1, 1:2, dan 1:3) dalam 80 ml air deionisasi, dan nilai pH disesuaikan menjadi 8,0 dengan 0,1 mol L
−1
larutan NaOH. Suspensi grafena oksida dipindahkan ke autoklaf dan direaksikan pada suhu 200 °C selama 10 jam. Terakhir, suspensi disaring dengan filter mikropori 0,22 m, dan filtratnya didialisis dalam kantong dialisis selama 24 jam untuk mendapatkan S, N-GQD. Rasio doping yang berbeda dilambangkan sebagai S, N-GQDs-1 (1:1), S, N-GQDs-2 (1:2), dan S, N-GQDs-3 (1:3), masing-masing.
Karakterisasi
Morfologi GQD dan S, N-GQD diperiksa dengan mikroskop gaya atom (AFM) (Multimode 8) dan TEM (JEM-2100F). Spektrum FTIR diperoleh dengan spektrometer Nicolet iS10. Spektroskopi fotoelektron sinar-X (XPS) diperoleh pada spektrometer elektron ESCALAB 250XI. Spektrum UV-tampak dianalisis dengan spektrofotometer UV5500. Spektrum photoluminescence (PL) dikarakterisasi pada spektrofotometer fluoresensi Cary Eclipse.
Pengukuran Elektrokimia
Voltametri siklik (CV) dilakukan di stasiun kerja elektrokimia (CHI650E). Pada sistem tiga elektroda masing-masing digunakan elektroda Pt, elektroda kalomel, dan elektroda glassy carbon sebagai elektroda lawan, elektroda referensi, dan elektroda kerja. Pengukuran CV direkam pada pemindaian rata dari 5 hingga 200 mV s
−1
dalam larutan KOH 2 M. Kapasitansi spesifik (C) dari S, N-GQDs dapat dievaluasi dengan menggunakan Persamaan. (1):
$$ C=\frac{\int IdV}{vm\Delta V} $$ (1)
di mana IdV adalah area yang dikelilingi oleh kurva CV, ∆V (V) adalah jendela tegangan, v (mV s
−1
) adalah kecepatan pemindaian, dan m (g) adalah massa S, N-GQD di elektroda kerja.
Hasil dan Diskusi
Analisis Morfologi
Gambar mikroskop elektron transmisi (HRTEM) resolusi tinggi dari S, N-GQD dan GQD ditunjukkan pada Gambar. 1. S, N-GQD memiliki ukuran sekitar 20 nm dan menyajikan kristalisasi tinggi dengan jarak antar planar 0,34 nm, yang sesuai dengan wajah kristal (002) graphene [32]. Gambar 1b menunjukkan bahwa ukuran lateral GQD adalah sekitar 10 nm, dan jarak kisi GQD diukur menjadi 0,21 nm, yang termasuk dalam segi (100) bidang graphene [33]. Hasilnya menggambarkan bahwa S, N-GQDs dapat terdiri dari inti nanokristalin dari grafit sp
2
Atom C dan penggabungan S, N tidak berpengaruh pada struktur kisi GQD [34].
Gambar HRTEM dari a S, N-GQD dan b GQD
Seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 2, topografi S, N-GQD dan GQD diselidiki oleh AFM. S, N-GQD dan GQD yang disiapkan menunjukkan distribusi ukuran yang seragam. Pada Gambar. 2a, tinggi rata-rata S, N-GQD adalah sekitar 0,5 nm, yang menunjukkan bahwa S, N-GQD memiliki sekitar 1-2 lapisan graphene. Gambar 2b menunjukkan bahwa ketebalan rata-rata GQD yang dibuat dengan metode hidrotermal adalah sekitar 1,5 hingga 2,5 nm, menunjukkan bahwa GQD memiliki sekitar 4-6 lapisan graphene. Membandingkan ketebalan S, N-GQD dan GQD, yang pertama berkurang secara signifikan. Hasilnya menunjukkan bahwa penggabungan S, N dapat secara efektif mengurangi lapisan GQD dan mengupas lembaran graphene.
Gambar AFM dari a S, N-GQD dan b GQD
Analisis FT-IR
Gambar 3 menunjukkan spektrum FT-IR S, N-GQD, dan GQD. Untuk S, N-GQD (Gbr. 3a), pita pada 2060 cm
−1
, 1402 cm
−1
, dan 1110 cm
−1
terkait dengan pita serapan vibrasi C ≡ N, C-N, dan C=S, masing-masing [34, 35]. Puncak serapan pada 748 cm
−1
dan 622 cm
−1
sesuai dengan getaran peregangan C-S [34, 36]. Seperti dapat dilihat dari Gambar. 3b, GQD memiliki puncak serapan yang lebih lemah. Puncak serapan pada 3435 cm
−1
, 1630 cm
−1
, dan 1400 cm
−1
masing-masing adalah vibrasi ulur O-H air di udara, vibrasi regangan ikatan C=C dalam struktur grafit dan vibrasi regangan C-H [21]. Hasil FT-IR menunjukkan bahwa S dan N dapat berhasil didoping menjadi GQD dengan metode hidrotermal.
Spektrum FTIR a S, N-GQD dan b GQD
Analisis XPS
Untuk mengungkapkan keadaan kimia dan komposisi unsur dari S, N-GQD yang disiapkan dengan rasio doping dan GQD yang berbeda, pengukuran XPS digunakan seperti yang ditunjukkan pada Gambar 4. Spektrum pemindaian penuh XPS dari GQD (Gbr. 4a) menunjukkan dua puncak pada 534 dan 285 eV, yang sesuai dengan O 1s dan C 1s. Puncak tambahan 398 dan 163 eV muncul dalam spektrum penuh S, N-GQD dengan rasio doping yang berbeda dikaitkan dengan N 1s dan S 2p. Spektrum resolusi tinggi N 1s XPS S, N-GQD dengan rasio doping yang berbeda (Gbr. 4b) menunjukkan tiga puncak di sekitar 398,10 eV, 400,20 eV, dan 405,20 eV dikaitkan dengan pyrrolic N (C–N–C) atau piridinat N, grafit N, dan N teroksidasi, masing-masing [34, 37]. Gambar 4c menunjukkan spektrum resolusi tinggi S 2p XPS S, N-GQD dengan rasio doping dan puncak berbeda yang terletak pada 162,4 eV, 163,6 eV, 168,6 eV, dan 170,2 eV, sesuai dengan S 2p3/2 , S 2p1/2 , S=O, dan S 2p3/2 , masing-masing [34]. Seperti kita ketahui, doping S dan N bermanfaat untuk meningkatkan sifat elektrokimia bahan [38, 39]. Karena atom S dan N digabungkan ke dalam lapisan graphene, atom karbon pada bidang diganti dan lebih banyak elektron disuplai ke sistem -conjugated graphene, sehingga meningkatkan konduktivitas sampel [40]. Selain itu, kehadiran atom S dan N dalam struktur graphene dapat memberikan situs elektrokimia aktif dan efek pseudocapacitance untuk meningkatkan sifat kapasitif material [41, 42]. Hasil ini mengkonfirmasi bahwa sulfur dan nitrogen yang berhasil didoping ke dalam kerangka kerja GQD, yang konsisten dengan hasil yang ditunjukkan pada FT-IR.
Spektrum XPS dari sampel yang disiapkan:a spektrum survei, b dan c resolusi tinggi masing-masing N 1 s, dan S 2p. (I) GQDs, (II) S, N-GQDs-1, (III) S, N-GQDs-2, dan (IV) S, N-GQDs-3
Analisis Terlihat-UV
Gambar 5 menunjukkan spektrum UV-tampak GQD dan S, N-GQD dengan rasio doping yang berbeda. Pada Gambar 5a, puncak absorpsi yang terletak pada 260 nm dan 305 nm dapat dikaitkan dengan transisi -π* C=C dan transisi n-π* dari ikatan C=O [34]. Gambar 5b–d menunjukkan spektrum UV-tampak masing-masing S, N-GQDs-1, S, N-GQDs-2, dan S, N-GQDs-3. Dibandingkan dengan -π*, posisi puncak serapan transisi C=C dalam GQD, S, N-GQD memiliki fenomena “pergeseran merah” yang jelas. Selain itu, S, N-GQD memiliki puncak karakteristik sekitar 405 nm sesuai dengan transisi n-π* dari C=N terkonjugasi [43], yang mungkin dikaitkan dengan perubahan keadaan permukaan GQD dengan penggabungan N. Ada tidak ada puncak terkait S di sekitar 550 dan 595 nm karena keelektronegatifan S dan C sangat dekat sehingga perbedaan antara dua tingkat energi dapat diabaikan [44]. Hasil ini menunjukkan bahwa doping S dan N dapat secara efektif meningkatkan penyerapan cahaya tampak oleh GQD.
Spektrum UV-terlihat dari a GQD, b S, N-GQDs-1, c S, N-GQDs-2, dan d S, N-GQD-3
Analisis PL
Spektrum photoluminescence (PL) dari larutan GQDs dan S, N-GQDs di bawah panjang gelombang eksitasi yang berbeda ditunjukkan pada Gambar. 6a–d. Spektrum menunjukkan bahwa ketika panjang gelombang eksitasi meningkat dari 300 menjadi 400 nm, intensitas PL GQD dan S, N-GQD keduanya meningkat pertama dan kemudian menurun. Pada panjang gelombang eksitasi 320 nm, intensitas PL dari GQD mencapai maksimum, dan puncak PL terletak pada 430 nm, sesuai dengan transisi * → n dari gugus karbonil atau karboksil [45]. Selain itu, ketika panjang gelombang eksitasi meningkat dari 300 menjadi 400 nm, posisi puncak emisi spektral PL dari S, N-GQD secara bertahap bergeser merah, menunjukkan bahwa GQD yang diolah secara hidrotermal menunjukkan karakteristik fluoresensi ketergantungan panjang gelombang eksitasi. Ditemukan bahwa S, N-GQDs menunjukkan fotoemisi terkait dengan panjang gelombang eksitasi karena perubahan distribusi ukuran partikel dan keadaan pengotor [46,47,48]. Perubahan ukuran S, N-GQD menghasilkan sp
2
negara-negara lokal terkait di tingkat LUMO dan HOMO [49]. Transisi elektronik dari keadaan terlokalisasi ini bertanggung jawab atas pergeseran merah posisi puncak emisi PL. Di sisi lain, kelompok fungsional yang berbeda di tepi S, N-GQD seperti atom oksigen dan nitrogen atau S =O dapat membuat keadaan perangkap antara tingkat LUMO dan HOMO, yang juga menunjukkan fotoemisi ketergantungan panjang gelombang eksitasi [49] . Spektrum PL dari GQD dan S, N-GQD pada panjang gelombang eksitasi 320 nm ditunjukkan pada Gambar 6e. Dibandingkan dengan sampel yang tidak didoping, sampel yang didoping sulfur dan nitrogen menunjukkan perubahan posisi puncak yang signifikan saat tereksitasi pada 320 nm, yang dapat dikaitkan dengan afinitas elektron yang kuat dari S dan N dalam S, N-GQD [50]. Gambar 6f menunjukkan perbandingan intensitas PL untuk GQD dan S, N-GQD dengan rasio doping yang berbeda pada eksitasi 320 nm. Hasilnya menunjukkan bahwa S, N-GQDs-1 menunjukkan intensitas PL terbaik.
Spektrum PL a GQD, b S, N-GQDs-1, c S, N-GQDs-2, dan d S, N-GQDs-3 di bawah cahaya eksitasi yang berbeda; e Spektrum PL dari GQD dan rasio doping yang berbeda dari S, N-GQD pada eksitasi 320 nm; f tren variasi intensitas PL GQD dan rasio doping yang berbeda S dan N-GQD pada eksitasi 320 nm
Analisis Kinerja Kapasitansi Spesifik
Kapasitansi spesifik S, N-GQDs dengan rasio doping yang berbeda dievaluasi dengan voltametri siklik (CV). Gambar 7a menyajikan perkiraan bentuk persegi panjang dari kurva CV dengan kecepatan pemindaian 50 mV s
−1
, menunjukkan perilaku yang sangat kapasitif. Perlu dicatat bahwa fitur kurva hampir simetris tanpa puncak redoks yang jelas, yang menunjukkan karakteristik khas dari perilaku kapasitansi lapisan ganda listrik (EDLC) yang tak terhindarkan [51]. Kurva CV dari S, N-GQDs-1, S, N-GQDs-2, S, N-GQDs-3, dan GQD dengan kecepatan pemindaian yang berbeda (5–200 mV s
−1
) ditunjukkan pada Gambar. 7b–e, yang menunjukkan respons arus inversi tegangan yang cepat dan resistansi transmisi ion yang rendah di elektroda.
Kurva CV S, N-GQD dengan rasio doping berbeda pada kecepatan pemindaian 50 mV/dtk (a ). Kurva CV dari S, N-GQDs-1 (b ), S, N-GQDs-2 (c ), S, N-GQDs-3 (d ), dan GQD (e ) pada kecepatan pemindaian yang berbeda 5, 10, 20, 50, 100, dan 200 mV/dtk. f Nilai kapasitansi spesifik S, N-GQDs-1, S, N-GQDs-2, S, N-GQDs-3, dan GQDs pada kecepatan pemindaian yang berbeda 5, 10, 20, 50, 100, dan 200 mV s
−1
Nilai kapasitansi spesifik sampel dengan kecepatan pemindaian yang berbeda dihitung dengan Persamaan. (1) ditunjukkan pada Tabel 1. S, N-GQD memiliki area yang lebih besar daripada GQD, menunjukkan nilai kapasitansi spesifik yang lebih besar, yang dikaitkan dengan pseudokapasitansi tinggi tambahan yang disediakan oleh S, N yang didoping dan status doping yang bertindak sebagai perangkap negara membantu untuk meningkatkan kapasitas penyimpanan biaya [52, 53]. S, N-GQDs-1 menunjukkan perilaku kapasitif yang sangat baik dengan kapasitansi spesifik 362,60 F g
−1
dengan kecepatan pemindaian tetap 5 mV s
−1
. Namun, S, N-GQDs-2, S, N-GQDs-3 dengan kandungan S, N yang lebih tinggi menunjukkan nilai kapasitansi spesifik yang lebih rendah karena kandungan S, N yang lebih tinggi menyebabkan lebih banyak kekosongan oksigen. Kekosongan oksigen ini mengisi keadaan pengotor, sehingga menekan perilaku kapasitansi spesifik [35]. Oleh karena itu, S, N-GQDs-1 lebih cocok untuk aplikasi pada perangkat penyimpan energi. Selain itu, nilai kapasitansi spesifik dari S, N-GQD yang disiapkan, dan bahan berbasis graphene atau bahan nano lainnya yang dilaporkan tercantum dalam Tabel 2. Jelas, S, N-GQD menunjukkan kinerja yang unggul dibandingkan dengan bahan lain. Gambar 7f menunjukkan perbandingan nilai kapasitansi saat kecepatan pemindaian diubah dari 5 menjadi 200 mV s
−1
. Untuk S, N-GQD dan GQD pada laju pemindaian yang lebih rendah, kapasitansi spesifik yang lebih tinggi dan kerapatan arus yang lebih rendah dapat dikaitkan dengan resistansi internal elektroda. Ketika laju pemindaian meningkat, ion-ion terbatas pada permukaan luar elektroda, yang menyebabkan penurunan kapasitansi spesifik. Densitas arus yang lebih rendah menyebabkan ion menembus struktur internal bahan elektroda, yang memfasilitasi perilaku kapasitif. Sementara laju pemindaian menurun, kerapatan arus yang lebih rendah mendorong ion untuk menembus ke dalam struktur internal elektroda, yang memfasilitasi perilaku kapasitif [68].
Kesimpulan
Singkatnya, metode hidrotermal top-down digunakan untuk mensintesis S, N-GQD. S, N-GQD yang diperoleh menghadirkan sekitar 1-2 lapisan graphene dan pinggiran kisi yang terdefinisi dengan baik dengan jarak interlamellar 0,34 nm yang dianggap berasal dari permukaan kristal (002) graphene. Selain itu, penggabungan S, N menghadirkan puncak penyerapan S, N-GQD sekitar 405 nm, dan menunjukkan karakteristik fluoresensi yang dapat disesuaikan dalam rentang eksitasi yang terlihat. Sementara itu, S, N-GQD menghadirkan kinerja kapasitif yang luar biasa karena pseudocapacitance tinggi tambahan yang disediakan oleh S, N yang didoping dan status doping yang bertindak sebagai status jebakan untuk meningkatkan kapasitas penyimpanan muatan. S, N-GQDs-1 menunjukkan perilaku kapasitif yang sangat baik dan kapasitansi spesifiknya adalah 362,60 F g
−1
dengan kecepatan pemindaian tetap 5 mV s
−1
. Karakteristik EDLC yang ideal dari S, N-GQD menegaskan arah baru mereka untuk aplikasi di perangkat penyimpanan energi.
Ketersediaan Data dan Materi
Semua data yang dihasilkan atau dianalisis selama penelitian ini disertakan dalam artikel yang dipublikasikan ini.
Singkatan
AFM:
Mikroskop gaya atom
CV:
Voltametri siklik
EDLC:
Kapasitansi dua lapis listrik
FT-IR:
Spektroskopi inframerah transformasi Fourier
HRTEM:
Mikroskop elektron transmisi resolusi tinggi
PL:
Fotoluminesensi
S, N-GQD:
Titik kuantum graphene yang didoping bersama dengan sulfur dan nitrogen
